Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2006, выпуск 5
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, выпуск 5
Электронные и оптические свойства полупроводников
Сермакашева Н.Л., Шульга Ю.М., Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф.
Влияние условий пиролиза аэрозоля водных растворов тиомочевинных комплексов на СВЧ фотопроводимость пленок сульфида кадмия
513
Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Липаев А.Ф., Яковлев Ю.П.
Магнитотранспортные свойства гетеропереходов II типа на основе GaInAsSb/InAs и GaInAsSb/GaSb
519
Даунов М.И., Камилов И.К., Габибов С.Ф.
Об электронных фазовых переходах металл-диэлектрик в полупроводниках
536
Shamirzaev T.S., Toropov A.I., Bakarov A.K., Zhuravlev K.S., Kobitski A.Yu., Wagner H.P., Zahn D.R.T.
Exciton--polariton transition induced by elastic exciton--exciton collisions in ultra-high quality AlGaAs alloys
542
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н.
Рассеяние дырок гетерограницами GaAs/AlAs (111) и (110)
549
Антонова И.В., Шаймеев С.С., Смагулова С.А.
Трансформация при отжиге электрически активных дефектов в кремнии, имплантированном ионами высоких энергий
557
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В.
Оценки энергии экситонных переходов в гетероструктурах NH/3C/NH (N=2,4,6,8) на основе политипов карбида кремния
563
Косяченко Л.А., Раренко И.М., Склярчук О.Ф., Герман И.И., Weiguo Sun
Электрические характеристики фотодиодов ITO/HgInTe
568
Низкоразмерные системы
Хабаров Ю.В., Капаев В.В., Петров В.А., Галиев Г.Б.
Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием планарно-неоднородных слоев. Фотолюминесценция структур с электронными delta-легированными слоями
572
Грушко Н.С., Логинова Е.А., Потанахина Л.Н.
Процесс туннельной рекомбинации в пространственно неоднородных структурах
584
Сизов В.С., Сизов Д.С., Михайловский Г.А., Заварин Е.Е., Лундин В.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н.
Исследование латерального транспорта носителей в структурах с квантовыми точками InGaN в активной области
589
Теленков М.П., Митягин Ю.А.
Спектр электрона в квантовой яме в сильных наклонном магнитном и поперечном электрическом полях
597
Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Поляков Н.К., Самсоненко Ю.Б., Устинов В.М., Захаров Н.Д., Werner P., Талалаев В.Г., Новиков Б.В.
Влияние разориентации подложки GaAs на свойства квантовых точек InAs, выращенных методом МПЭ при низких температурах
603
Пихтин А.Н., Комков О.С., Базаров К.В.
Влияние внешнего электрического поля на вероятность оптических переходов в квантовых ямах InGaAs/GaAs
608
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Булах Б.М., Корсунская Н.Е., Хоменкова Л.Ю., Старая Т.Р., Шейнкман М.К.
О влиянии процесса окисления на эффективность и спектр люминесценции пористого кремния
614
Физика полупроводниковых приборов
Ефремов А.А., Бочкарева Н.И., Горбунов Р.И., Лавринович Д.А., Ребане Ю.Т., Тархин Д.В., Шретер Ю.Г.
Влияние джоулева разогрева на квантовую эффективность и выбор теплового режима мощных голубых InGaN/GaN светодиодов
621
Андреев А.Ю., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Мармалюк А.А., Налет Т.А., Падалица А.А., Пихтин Н.А., Сабитов Д.Р., Симаков В.А., Слипченко С.О., Хомылев М.А., Тарасов И.С.
Мощные лазеры (lambda=808-850 нм) на основе асимметричной гетероструктуры раздельного ограничения
628
Блохин С.А., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Шерняков Ю.М., Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Дюделев В.В., Соколовский Г.С., Кучинский В.И., Кулагина М.М., Максимов М.В., Устинов В.М., Ковш А.Р., Михрин С.С., Леденцов Н.Н.
Вертикально-излучающие лазеры на основе массивов субмонослойных квантовых точек InGaAs
633
Персоналии
Леонид Вениаминович Келдыш ( к 75-летию со дня рождения)
639
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme