Методом DLTS исследованы распределения по глубине дефектов, возникающих в кремнии при имплантации ионов бора с энергией 14 MэВ, и их трансформация при отжиге в интервале температур 200-800^oC. Установлено, что в результате имплантации формируется стандартный набор радиационных дефектов вакансионного типа (комплексы кислород-вакансия, фосфор-вакансия, дивакансии) и центр с уровнем E_c-0.57 эВ. Термообработки при температуре 200-300^oC приводят к удалению всех вакансионных комплексов на расстоянии от поверхности h>12-9 мкм. Это происходит, скорее всего, за счет распада межузельных комплексов, локализованных на глубине h>12-9 мкм, и аннигиляции их с вакансионными дефектами. Отжиги при более высоких температурах вызывают дальнейшее сужение слоя, в котором выживают вакансионные дефекты, до h~ 6 мкм при 500^oC, и смену наблюдаемых электрически активных центров в интервале температур 400-500^oC. Специфика отжига радиационных дефектов после высокоэнергетической ионной имплантации обусловлена пространственным разделением вакансионных и межузельных дефектов. PACS: 61.72.Tt, 61.72.Cc

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.