Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2007, выпуск 3
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, выпуск 3
Обзоры
Иванов-Омский В.И., Матвеев Б.А.
Отрицательная люминесценция и приборы на ее основе О б з о р
257
Электронные и оптические свойства полупроводников
Кирюхин А.Д., Григорьев В.В., Зуев А.В., Зуев В.В., Королев Н.А.
Форма сигналов нестационарной фотопроводимости в кремнии, легированном золотом или серой
269
Лебедев А.А., Зеленин В.В., Абрамов П.Л., Богданова Е.В., Лебедев С.П., Нельсон Д.К., Разбирин Б.С., Щеглов М.П., Трегубова А.С., Suvajarvi M., Yakimova R.
Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC
273
Венгер Е.Ф., Гасан-заде С.Г., Стриха М.В., Шепельский Г.А.
Зонный спектр и двойной фазовый переход проводимости металл--диэлектрик--металл в упругонапряженном бесщелевом Cd
x
Hg
1-x
Te
276
Конин А.
Влияние искривления энергетических зон на термоэдс в биполярных полупроводниках
282
Камилов И.К., Степуренко А.А., Гумметов А.Э., Ковалев А.С.
Движение продольного автосолитона в p-InSb в поперечном магнитном поле
286
Саченко А.В., Горбань А.П., Костылев В.П., Соколовский И.О.
Квадратичная рекомбинация в кремнии и ее влияние на объемное время жизни
290
Соболев Н.А., Бер Б.Я., Емельянов А.М., Коварский А.П., Шек Е.И.
Дислокационная люминесценция в кремнии, обусловленная имплантацией ионов кислорода и последующим отжигом
295
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Верменичев Б.М., Лисицкий О.Л., Кумеков М.Е., Кумеков С.Е., Теруков Е.И., Токмолдин С.Ж.
Электрофизические свойства гетероструктур n-ZnO/p-CuO
298
Тысченко И.Е., Фёльсков М., Черков А.Г., Попов В.П.
Поведение германия, имплантированного в SiO
2
вблизи границы сращивания структуры кремний-на-изоляторе
301
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Трошин А.В.
Роль спонтанной поляризации в формировании гетеропереходов на основе политипов карбида кремния
307
Драпак С.И., Ковалюк З.Д.
Влияние буферного слоя собственного окисла селенида галлия нанометровых размеров на электрические, фотоэлектрические и излучательные свойства гетероструктур ITO-GaSe
312
Низкоразмерные системы
Кадушкин В.И.
Особенности спектров Фурье осцилляций магнитосопротивления сильно легированной гетероструктуры
318
Гергель В.А., Зеленый А.П., Якупов М.Н.
Исследование эффекта бистабильности токовых характеристик наноразмерных многослойных сильно легированных гетероструктур методами математического моделирования
325
Зубков В.И.
Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами In
x
Ga
1-x
As/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрывы зон, уровни квантования, волновые функции
331
Кадушкин В.И., Садофьев Ю.Г., Bird J.P., Johnson S.R., Zhang Y.-H.
Резонансная модуляция магнитным полем межподзонного электрон-электронного взаимодействия в квантовой яме AlSb(delta-Te)/InAs/AlSb(delta-Te)
338
Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Сибатов Р.Т., Учайкин В.В.
Дробно-дифференциальная кинетика переноса заряда в неупорядоченных полупроводниках
346
Чистохин И.Б., Гутаковский А.К., Дерябин А.С.
Структура и электрофизические свойства поликристаллических пленок SiGe, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения
352
Физика полупроводниковых приборов
Кажукаускас В., Ясюленис Р., Календра В., Вайткус Ю.
Воздействие облучения протонами больших энергий на 4H-SiC-детекторы
356
Bayhan H., Ozden S.
Measurement and comparison of complex impedance of silicon p-i-n photodiodes at different temperatures
364
Гуляев Ю.В., Ждан А.Г., Чучева Г.В.
Увеличение подвижности электронов в инверсионном канале Si-МОП-транзистора при ионной поляризации подзатворного окисла
368
Аверкиев Н.С., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Пихтин Н.А., Тарасов И.С.
Нелинейно-оптические эффекты в полупроводниковых лазерах на основе квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs/AlGaAs
372
Персоналии
Александр Леонидович Асеев ( к 60-летию со дня рождения)
376
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук