"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Александр Леонидович Асеев ( к 60-летию со дня рождения)
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.
[!t] = Александр Леонидович Асеев родился 24 сентября 1946 года в г. Улан-Удэ. После окончания в 1963 г. средней школы N 3 в г. Улан-Удэ А. Л. Асеев поступил на физический факультет Новосибирского государственного университета (НГУ), где прослушал курсы лекций выдающихся ученых Г. И. Будкера, Ю. Б. Румера, А. В. Ржанова и др. После окончания НГУ в 1968 г. А. Л. Асеев работает в Институте физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (СО РАН), пройдя все должностные ступени от стажера-исследователя до директора института. -3 Основное направление научной деятельности А. Л. Асеева сформировано совместно с его научными руководителями в институте - проф. С. И. Стениным, член-корр. РАН К. К. Свиташевым, академиком А. В. Ржановым и связано с изучением атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, развитием технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники. Под руководством А. Л. Асеева в Институте физики полупроводников создан и успешно функционирует современный научно-технологический комплекс для получения и исследования полупроводниковых микро- и наноструктур, изучения квантовых эффектов в них, создания нового поколения устройств полупроводниковой электроники, инфракрасной и СВЧ техники. А. Л. Асеевым с сотрудниками выполнены пионерские работы по исследованию атомных механизмов процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии, по изучению свойств моноатомных ступеней на поверхности кремния, которые принесли широкую известность ему и возглавлямой им группе сотрудников среди научной общественности в России и в мире. При активном участии А. Л. Асеева разработана технология молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев в системе кадмий-ртуть-теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств. Эпитаксиальные структуры используются Институтом физики полупроводников и предприятиями отрасли при получении матричных и линейчатых фотоприемных устройств для решения задач силовых ведомств России. В структурах с двумерным электронным газом исследованы резонансные явления при квантовом транспорте носителей заряда, включая эффекты электронной интерференции и одноэлектронные эффекты. При активном участии А. Л. Асеева разрабатываются нанотранзисторы в структурах кремний-на-изоляторе, новые типы элементов памяти и элементов силовой электроники. Совместно с другими институтами Сибирского отделения РАН ведутся работы по получению кремниевых материалов для солнечной энергетики. А. Л. Асеев - автор 195 научных публикаций, 2 монографий и ответственный редактор 2 сборников статей. А. Л. Асеев является членом Научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии, членом редколлегии журналов "Физика и техника полупроводников" (С.-Петербург), "Автометрия" (Новосибирск), "Известия ВУЗов. Материалы электронной техники" (Москва), "Crystal Research and Technology" (Берлин), "Микро- и наносистемная техника" (Москва), электронного журнала "Surface Science and Nanotechnology" (Япония). В течение 10 лет А. Л. Асеев был членом Совета Международного центра по материаловедению и электронной микроскопии (Германия). А. Л. Асеев активно участвует в организации и проведении ведущих российских и международных научных мероприятий, в том числе Российской конференции по физике полупроводников (Москва, С.-Петербург, Н. Новгород, Новосибирск), Международного симпозиума "Наноструктуры: физика и технология" (С.-Петербург), конференции по арсениду галлия и полупроводниковым соединениям группы III-V (Томск), совещаний по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (Новосибирск, Иркутск, Красноярск), совещания по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (Новосибирск). Он неоднократно выступал с приглашенными и обзорными докладами на ведущих научных мероприятиях, делал основные доклады на слушаниях в межфракционном депутатском объединении "Наука и высокие технологии" в Государственной Думе РФ и в Комитете Совета Федерации по науке, культуре, образованию, здравоохранению и экологии. А. Л. Асеев - профессор филиала кафедры физики полупроводников Томского государственного университета, член Ученого совета Новосибирского государственного университета и Ученого совета физического факультета НГУ, председатель Специализированного совета по защитам докторских диссертаций, заместитель председателя Объединенного ученого совета СО РАН по физико-техническим наукам, член Президиума Сибирского отделения РАН. Многие из его учеников стали докторами и кандидатами наук. Многократно выезжал для научной работы в ведущие научные центры мира: Макс-Планк Институт физики микроструктур (ранее Институт физики твердого тела и электронной микроскопии, Германия); Оксфордский университет (Англия); Центр ядерных исследования (Франция); Университеты штатов Аризона и Висконсин (США) и др. Работа А. Л. Асеева отмечена грамотами и благодарностями Президиума СО РАН, Президиума РАН, администрации Новосибирской области, мэрии г. Новосибирска, он награжден серебряной медалью "В благодарность за вклад в развитие Томского государственного университета". Важно отметить, что благодаря активной деятельности А. Л. Асеева, при поддержке Сибирского отделения, Отделения физических наук, Отделения информационных технологий и вычислительных систем РАН Институт физики полупроводников СО РАН в последние годы укрепил свои позиции крупного исследовательского центра с широким фронтом работ в области современной физики полупроводников, физики конденсированного состояния, в развитии научных основ технологий полупроводниковой и квантовой электроники и является в настоящее время одним из ведущих в России и в мире. Коллеги, ученики, редколлегия журнала << Физика и техника полупроводников>>
  1. В.Г. Дмитриев, Л.В. Тарасов. Прикладная нелинейная оптика (М., Физматлит, 2004)
  2. Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991).
  3. Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Ichimura, N. Yamada, D.E. Mars, T. Takeuchi. J. Appl. Phys., 87 (4), 1597 (2000)
  4. T. Taniuchi, H. Nakanishi. J. Appl. Phys., 95 (12), 7588 (2004)
  5. В.Я. Алешкин, А.А. Афоненко, Н.Б. Звонков. ФТП, 35 (10), 1256 (2001)
  6. А.А. Афоненко, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов. ФТП, 38 (2), 244 (2004)
  7. S. Hoffmann, M. Hofmann, M. Kira, S.W. Koch. Semicond. Sci. Technol., 20 (7), S205 (2005)
  8. A.A. Afonenko, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov. Semicond. Sci. Technol., 20 (5), 357 (2005)
  9. В.Я. Алешкин, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, Вл.В. Кочаровский. ФТП, 39 (1), 171 (2005)
  10. С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, К.С. Борщев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 40 (8), 1017 (2006)
  11. Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39 (3), 388 (2005)
  12. N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40 (22), 1413 (2004)
  13. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 38, 374 (2004)
  14. С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алферов. ФТП, 38 (12), 1477 (2004)
  15. A.I. Kovrighin, D.V. Yakovlev, B.V. Zhdanov, N.I. Zheludev. Opt. Commun., 35 (1), 92 (1980)
  16. П.Г. Елисеев. Введение в физику инжекционных лазеров (М., Наука, 1983)
  17. Р.Ф. Казаринов, О.В. Константинов, В.И. Перель, А.Л. Эфрос. ФТТ, 7 (5), 1506 (1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.