Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1999, выпуск 5
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, выпуск 5
Обзоры
Кесаманлы Ф.П., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Наведенный фотоплеохроизм в полупроводниках О б з о р
513
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Барабаненков М.Ю., Леонов А.В., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М.
Влияние фотовозбуждения n-Si in situ при имплантации малых доз ионов на образование радиационных дефектов
537
Пагава Т.А., Башелеишвили З.В.
Влияние интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах Si n- и p-типа
542
Берт Н.А., Вавилова Л.С., Ипатова И.П., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Пихтин Н.А., Ситникова А.А., Тарасов И.С., Щукин В.А.
Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP-структуры с модулированным составом
544
Электронные и оптические свойства полупроводников
Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И., Белов А.Г., Лакеенков В.М., Смирнова Н.А.
К вопросу о поглощении инфракрасного излучения свободными носителями заряда в n-Cd
1-x
Zn
x
Te
549
Ильчук Г.А., Украинец Н.А., Иванов-Омский В.И., Рудь Ю.В., Рудь В.Ю.
Оптоэлектронные явления в полуизолирующих монокристаллах CdTe и структурах на их основе
553
Тысченко И.Е., Володин В.А., Реболе Л., Фельсков М., Скорупа В.
Фотолюминесценция пленок Si
3
N
4
, имплантированных ионами Ge
+
и Ar
+
559
Мальханов С.Е.
Долговременные релаксации фотопроводимости, обусловленные радиационными дефектами в p-Si
567
Морозова Н.К., Каретников И.А., Блинов В.В., Комарь В.К., Галстян В.Г., Зимогорский В.С.
Зависимость свойств кристаллов Cd
1-x
Zn
x
Te от типа собственных точечных дефектов и форм присутствия кислорода
569
Гасан-заде С.Г., Стриха М.В., Шепельский Г.А.
Низкотемпературные аномалии фотоэлектромагнитного эффекта в Cd
x
Hg
1-x
Te p-типа проводимости
574
Осипов Е.Б., Воронов О.В., Сорокина Н.О., Борисов В.Б.
Влияние полей случайно расположенных в кристалле полупроводника заряженных центров на электронную структуру нейтральных акцепторов и поляризацию люминесценции при переходах <зона проводимости>--акцептор
580
Голик Л.Л., Кунькова З.Э.
Влияние интенсивности излучения на спектр краевого поглощения ферромагнитного полупроводника CdCr
2
Se
4
583
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Санкин В.И., Лепнева А.А.
Насыщенная скорость вертикального дрейфа электронов в политипах карбида кремния
586
Веревкин А.А., Птицина Н.Г., Смирнов К.В., Воронов Б.М., Гольцман Г.Н., Гершензон Е.М., Ингвессон К.С.
Множественное андреевское отражение в гибридных структурах на основе сверхпроводящего нитрида ниобия и гетероперехода AlGaAs/GaAs
590
Анкудинов А.В., Евтихиев В.П., Токранов В.Е., Улин В.П., Титков А.Н.
Нанорельеф окисленной поверхности скола решетки чередующихся гетерослоев Ga
0.7
Al
0.3
As и GaAs
594
Низкоразмерные системы
Ткач Н.В., Жаркой В.П.
Спектр и электрон-фононное взаимодействие в среде с цилиндрической квантовой проволокой
598
Головач В.Н., Зегря Г.Г., Маханец А.М., Пронишин И.В., Ткач Н.В.
Спектры электронов и дырок в сверхрешетке цилиндрических квантовых проволок
603
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Иванов-Омский В.И., Андреев А.А., Фролова Г.С.
Колебательные спектры гидрогенизированного аморфного углерода, модифицированного эрбием и медью
608
Физика полупроводниковых приборов
Есаев Д.Г., Синица С.П., Чернявский Е.В.
Вольт-амперные характеристики фотоприемников с блокированной прыжковой проводимостью на основе Si : As
614
Черемисин М.В., Самсонидзе Г.Г.
Неустойчивость Дьяконова--Шура в баллистическом полевом транзисторе с пространственно неоднородным каналом
619
Малеев Н.А., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Егоров А.Ю., Устинов В.М., Крестников И.Л., Лунев А.В., Сахаров А.В., Воловик Б.В., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Алфёров Ж.И., Бимберг Д.
Структуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками в вертикальных оптических резонаторах для диапазона длин волн вблизи 1.3 мкм
629
Евтихиев В.П., Котельников Е.Ю., Кудряшов И.В., Токранов В.Е., Фалеев Н.Н.
Связь надежности лазерных диодов с кристаллическим совершенством эпитаксиальных слоев, оцениваемым методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии
634
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук