"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP-структуры с модулированным составом
Берт Н.А.1, Вавилова Л.С.1, Ипатова И.П.1, Капитонов В.А.1, Мурашова А.В.1, Пихтин Н.А.1, Ситникова А.А.1, Тарасов И.С.1, Щукин В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Методами фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии выполнены исследования эпитаксиальных слоев InGaAsP, полученных в области неустойчивости на подложках InP (001) и GaAs (001). Дано обсуждение результатов на основе теории спинодального распада твердых растворов. Экспериментально установлено, что в определенных интервалах температур и составов твердые растворы InGaAsP представляют собой систему напряженных, чередующихся (во взаимно перпердикулярных направлениях [100] и [010]) доменов твердого раствора двух различных составов с разными постоянными решетки. Структура доменов резко выражена у поверхности эпитаксиальной пленки и размывается в глубину к подложке. Полученные данные с большой вероятностью указывают на спинодальный распад твердых растворов InGaAsP в экспериментальных образцах.
  1. A. Zunger, S. Mahajan. In: Handbook of Semiconductor, ed. by T.S. Moss, v. 3, ed. by S. Mahajan (Elsevier, 1994) p. 1399
  2. G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 58, 194 (1982); G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 65, 454 (1983)
  3. J.W. Cahn. Trans. Met. Soc., 242, 166 (1967)
  4. A.G. Khachaturyan. Theory of Structural Transformations in Solids (N. Y., John Wiley and Sons, 1983)
  5. I.P. Ipatova, V.A. Shchukin, V.G. Malyshkin, A.Yu. Maslov, E. Anastassakis. Sol. St. Commun., 78, 19 (1991)
  6. M. Ilegems, M.B. Panish. J. Phys. Chem. Sol., 35, 409 (1974)
  7. И.С. Тарасов, Н.А. Пихтин, А.В. Мурашова, А.В. Лютецкий, А.Ю. Лешко, М.А. Иванов, Н.А. Берт, Ж.И. Алфёров. 2-я Росс. конф. по физике полупроводников, РКФП'96 (Зеленогорск, 1996) т. 1, c. 40
  8. I.S. Tarasov, L.S. Vavilova, N.I. Katsavets, A.V. Lyutetskiy, A.V. Murashova, N.A. Pikhtin, N.A. Bert, Zh.I. Alferov. Abstracts Int. Symposium Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 1996) p. 362
  9. I.S. Tarasov, L.S. Vavilova, I.P. Ipatova, A.V. Lyutetskiy, A.V. Murashova, N.A. Pikhtin, V.A. Shchukin, Zh.I. Alferov. Proc. 23rd Int. Symp. Compound Semiconductors ISCS-23 ( St. Petersburg, 1996). (1997) p. 117
  10. Л.С. Вавилова, А.В. Иванова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, И.С. Тарасов, И.Н. Арсентьев, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, Н.А. Пихтин, Н.Н. Фалеев. ФТП, 32, 658 (1998)
  11. B. de Cremoux. J. Physique, 43, C5--19 (1982)
  12. И.П. Ипатова, В.Г. Малышкин, А.Ю. Маслов, В.А. Щукин. ФТП, 27, 285 (1993)
  13. I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin, J. Appl. Phys., 74, 7198 (1993)
  14. I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. Phil. Mag., 70, 557 (1994)
  15. Д. Бимберг, И.П. Ипатова, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, В.Г. Малышкин, В.А. Щукин. УФН, 167(3), 552 (1997)
  16. Seiji Mukai. J. Appl. Phys., 54(5), 2635 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.