Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1989, выпуск 9
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 9
Лев Б.И., Торчинская Т.В., Томчук П.М., Шейнкман М.К.
Кинетика инжекционно-стимулированного преобразования дефектов в светоизлучающих GaAs : Si-структурах
1529
Ерчак Д.П., Кособуцкий В.С., Стельмах В.Ф.
Структура компенсирующих центров в облученном нейтронами n-германии
1539
Коржуев M.А., Банкина В.Ф., Грузинов Б.Ф., Бушмарина Г.С.
Электрофизические свойства суперионного Cu
2-x
Se
1545
Регель А.Р., Абдуманапов У.Ж., Васильев В.А., Мездрогина М.М., Насрединов Ф.С., Серегин П.П.
Примесные центры диспрозия в аморфном гидрогенизированном кремнии
1552
Екимов А.И., Крейнгольд Ф.И., Кулинкин Б.С.
Влияние высокого гидростатического давления на экситонный спектр микрокристаллов CdS в стекле
1556
Бабенцов В.Н., Булах В.М., Горбань С.И., Рашковецкий Л.В., Сальков Е.А.
Тонкая структура излучения при рекомбинации на комплексных дефектах в теллуриде кадмия
1560
Иванов С.В., Копьев П.С., Некрасов В.Ю., Пахомов А.Г., Трухин В.Н., Ярошецкий И.Д.
Энергетическая релаксация и транспорт электронов и дырок в короткопериодичных полупроводниковых сверхрешетках
1564
Тигиняну И.М.
Об одном механизме образования квазинепрерывно распределенных по энергии ловушек в кристаллах полупроводников и диэлектриков
1568
Черкасов Ю.А., Буров П.А., Давыдов И.А., Лучина В.Г., Одринский А.П., Румянцев А.И.
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
1572
Дегтярев Ю.А., Константинов П.П., Майлина X.Р., Прокофьева Л.В.
Переменная валентность в твердом растворе Pb
1-x
Sn
x
Se (x=0.15), легированном натрием
1576
Коршунов Ф.П., Радауцан С.И., Соболев Н.А., Тигиняну И.М., Урсаки В.В., Кудрявцева Е.А.
Краевая фотолюминесценция кристаллов n-InP, облученных электронами с энергией 3.5/4 МэВ
1581
Степуренко А.А., Алиев К.М., Абакарова Н.С.
Нелинейности вольтамперной характеристики монокристалла теллура в условиях электротемпературного эффекта
1584
Буянов А.В., Пека Г.П., Ткаченко В.Н., Токалин О.А.
Исследование градиентных гетероструктур электронно-зондовыми методами
1589
Давыдов В.Н., Лоскутова Е.А., Найден Е.П.
Запаздывающие структурные изменения в полупроводниках, стимулированные магнитным полем
1596
Бутусов Д.М., Гоцадзе Г.Г,, Рыбкин Б.С.
Эффективная модуляция излучения и N-образная ВАХ для фототока при электропоглощении света в двойной P-i-N-гетероструктуре
1601
Намаюнас А.М., Пожела Ю.К., Тамашявичюс А.В.
Численное моделирование микроплазменной неустойчивости
1606
Еремин В.К., Иванов А.М., Строкан Н.Б., Шокина Е.В.
Об использовании кремниевых структур типа М-П-М в методе емкостной спектроскопии глубоких уровней
1613
Байрамов М.А., Веденеев А.С., Ждан А.Г., Щамхалова Б.С.
Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных n-каналах Si-МОП структур
1618
Кучинский П.В., Ломако В.М., Петрунин А.П.
Инжекционная, электрополевая и термическая перестройка радиационных дефектов в p-кремнии
1625
Гинзбург Л.П.
Локализованные состояния в условиях структурного беспорядка
1629
Иванюкович В.А., Карась В.И., Ломако В.М.
Структура пика E3 в арсениде галлия
1635
Аитов Р.Д., Маслов А.И., Ржевкин К.С.
СВЧ шум горячих электронов в GaAs при температурах кристалла 10-100 K
1640
Баграев Н.Т., Половцев И.С.
Реакции центров железа, индуцированные пиннингом уровня Ферми в кремнии p-типа
1643
Бахадырханов М.К., Парманкулов И.П.
Неустойчивость тока в кремнии, компенсированном марганцем, связанная с рекомбинационными волнами
1646
Виноградова Г.И., Гогаладзе Д.Т., Лошинский А.М., Соловьева Е.В., Долгинов Л.М.
Влияние легирования расплава-раствора гадолинием и алюминием на электрические и люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaSb
1651
Заячук Д.М., Иванчук Д.Д., Иванчук Р.Д., Микитюк В.И., Старик П.М.
Магнитная восприимчивость теллурида свинца, легированного гадолинием
1654
Грессеров Б.Н., Мнацаканов Т.Т.
О соотношении подвижностей носителей заряда в полупроводниках n- и p-типа
1658
Ларкин И.А.
Вертикальный транспорт и фотолюминесценция в сверхрешетках
1664
Гольдгур Е.Б., Рабинович Р.И.
Влияние заряженных центров на захват медленных электронов нейтральными примесями в полупроводниках
1674
Поляновский В.М.
Индуцированные магнитным полем электронные переходы в полупроводниках со сверхрешеткой
1680
Махкамов Ш., Пахаруков Ю.В., Юнусов М.С.
Влияние процесса радиационного дефектообразования на дифузионный профиль распределения алюминия в кремнии при электронном облучении
1686
Брунков П.Н., Конников С.Г., Папенцев М.И., Соболев М.М., Степанова М.Н.
Бистабильные дефекты в GaAs, выращенном методом жидкофазной эпитаксии
1689
Неркарарян X.В.
Усиление электромагнитного излучения в экситонной области спектра полупроводника
1691
Тихов С.В., Касаткин А.П., Карпович С.И., Кудрявцева Н.В.
Влияние анодного окисления на глубокие уровни в арсениде галлия
1694
Аксенов И.А., Корзун Б.В., Маковецкая Л.А., Соболев Н.А., Жуков С.П.
Энергетические уровни в CuInS
2
, связанные с собственными дефектами
1696
Воробьева В.В., Егорова М.В., Крещук А.М., Новиков С.В., Савельев И.Г.
Легирование слоев In
0.53
Ga
0.47
As самарием
1699
Кадушкин В.И., Денисов А.А., Сеничкин А.П.
Аномалии низкотемпературной проводимости канала с 2D-электронами гетероструктуры n-Al
x
Ga
1-x
As/GaAs
1702
Абрамов В.В., Божко А.Д., Кульбачинский В.А., Чудинов С.М.
Эффект локализации в инверсионном слое на поверхности кремния
1704
Безручко Б.П., Ерастова Е.Н.
О возможности появления хаотических решений в модели узкозонного полупроводника в режиме ударной ионизации
1707
Ермолин А.В., Кучма А.Е., Свердлов В.А.
К теории плазменных волн в слоистых структурах
1709
Омельяновский Э.М., Пахомов А.В., Поляков А.Я., Шепекина Г.В.
Пассивация доноров и акцепторов в тройных и четверных растворах системы InGaAsP с помощью атомарного водорода
1711
Вьюрков В.В., Федирко В.А.
Возможные квантовые особенности одномерного баллистического транспорта в полупроводниковых структурах
1713
Козуб В.И.
Новые книги по полупроводникам
1716
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук