Приводятся экспериментальные результаты исследования долговременной релаксации постоянной решетки, температуры, структурного совершенства, а также электрофизических характеристик приповерхностного слоя элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений A^IIIB^V после воздействия импульсов магнитного поля. Наблюдаемые изменения указанных параметров и характеристик свидетельствуют о генерации, преобразовании и распаде кластеров френкелевскпх дефектов с аномально низкой энергией образования, обладающих генерационно-рекомбинационной активностью и легирующим действием.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.