Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2003, выпуск 8
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, выпуск 8
Электронные и оптические свойства полупроводников
Лагунова Т.С., Воронина Т.И., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Самохин Е., Яковлев Ю.П.
Взаимодействие носителей заряда с локализованными магнитными моментами марганца в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs : Mn
901
Гуткин А.А., Ермакова А.В.
Анализ полосы излучения комплeксов V
Ga
Te
As
в n-GaAs при одноосном давлении
908
Штельмах К.Ф., Коробков М.П., Озеров И.Г.
ЭПР взаимодействующих центров марганца в арсениде галлия
913
Серегин П.П., Степанова Т.Р., Кожанова Ю.В., Волков В.П.
Мессбауэровское исследование примесных атомов железа в арсениде галлия
917
Гореленок А.Т., Каманин А.В., Шмидт Н.М.
Редкоземельные элементы в технологии соединений A
III
B
V
и приборов на их основе
922
Приходько А.В.
Электромагнитный эффект в высокотемпературной сверхпроводимости 15 лет исследований (1987--2002 гг.) на кафедре экспериментальной физики СПбГПУ
941
Мастеров В.Ф., Штельмах К.Ф., Маслов В.П., Михрин С.Б., Саморуков Б.Е.
Релаксация нейтрального состояния марганца в арсениде галлия
943
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И.
Фоточувствительные структуры на монокристаллах фосфида бора
947
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.
Отрицательная люминесценция на длине волны 3.9 мкм в диодах на основе InGaAsSb
951
Львова Т.В., Берковиц В.Л., Дунаевский М.С., Лантратов В.М., Макаренко И.В., Улин В.П.
Химическая нитридизация поверхности (100)GaAs: влияние на электрофизические характеристки Au--Ti/GaAs поверхностно-барьерных структур
955
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Саморуков Б.Е.
О механизмах токопереноса в диодных структурах Cr--n-InP и Mo--n-InP
960
Низкоразмерные системы
Бессолов В.Н., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В., Федирко В.А., Zahn D.R.T.
Рамановская и инфракрасная спектроскопии нанокристаллов GaN, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на оксидированном кремнии
964
Физика полупроводниковых приборов
Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Калинина Е.В., Константинов О.В., Поссе Е.А.
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе структур металл--широкозонный полупроводник
968
Андреев И.А., Ильинская Н.Д., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П.
Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb / GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм с большим диаметром чувствительной площадки
974
Зотова Н.В., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Пушный Б.В., Яковлев Ю.П.
Свойства светодиодов, изготовленных на основе структур InAsSbP / InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
980
Астахова А.П., Данилова Т.Н., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Яковлев Ю.П.
Одномодовые быстроперестраиваемые лазеры для диодно-лазерной спектроскопии
985
Стоянов Н.Д., Журтанов Б.Е., Астахова А.П., Именков А.Н., Яковлев Ю.П.
Высокоэффективные светодиоды спектрального диапазона 1.6-2.4 мкм для медицинской диагностики и экологического мониторинга
996
Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П.
Особенности спонтанного и когерентного инфракрасного излучения лазеров, изготовленных на основе одиночного разъединенного гетероперехода II типа
1010
Низкоразмерные системы
Домашевская Э.П., Терехов В.А., Кашкаров В.М., Турищев С.Ю., Молодцов С.Л., Вялых Д.В., Винокуров Д.А., Улин В.П., Конников С.Г., Шишков М.В., Арсентьев И.Н., Тарасов И.С., Алфёров Ж.И.
Синхротронные исследования энергетического спектра электронов в наноструктурах на основе A
III
B
V
1017
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук