"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Отрицательная люминесценция на длине волны 3.9 мкм в диодах на основе InGaAsSb
Айдаралиев М.1, Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Талалакин Г.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

Приведены вольт-амперные характеристики, а также спектральные и ватт-амперные характеристики излучения диодов, изготовленных из двойных гетероструктур InAsSbP/InGaAsSb на подложке InAs, при прямом и обратном смещении в диапазоне температур 25--90oC. Показано, что отрицательная люминесценция, возникающая вследствие экстракции носителей из областей вблизи от p-n-перехода при температурах ~ 90oC, имеет больший коэффициент преобразования, чем электролюминесценция. Показано сужение спектров отрицательной люминесценции в диодах со встроенными резонаторами.
  1. В.И. Иванов-Омский, Б.Т. Коломиец, В.А. Смирнов. Докл. АН СССР, 161 (6), 1308 (1965)
  2. С.С. Болгов, В.К. Малютенко, А.П. Савченко. ФТП, 31 (5), 526 (1997)
  3. T. Ashley, C.T. Elliot, N.T. Gordon, S.H. Hall, A.D. Johnson, G.R. Price. J. Cryst. Growth, 159, 1100 (1996)
  4. T. Ashley, C.T. Elliot, N.T. Gordon, S.H. Hall, A.D. Johnson, G.R. Price. Infr. Phys. \& Technology, 36, 1037 (1995)
  5. M.J.P. Pullin, X. Li, J.D. Heber, D. Gevaux, C.C. Phillips. SPIE Proc., 3938-22, 144 (2000)
  6. L.J. Olafsen, I. Vurgaftman, W.W. Bewley, C.L. Felix, E.H. Aifer, J.R. Meyer, J.R. Waterman, W. Mason. Appl. Phys. Lett., 74 (18), 2681 (1999)
  7. G.R. Nash, N.T. Gordon, T. Ashley, M.T. Emeny, T.M. Burke. IEE Proc. Optoelectron. (2003) in print
  8. V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.D. Podoltsev, I.N. Kucheryavaya, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus'. Appl. Phys. Lett., 79 (25), 4228 (2001)
  9. B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. IEE Proc. Optoelectron., 149 (1), 33 (2002)
  10. M.J. Pullin, H.R. Hardaway, J.D. Heber, C.C. Phillips. Appl. Phys. Lett., 75 (22), 3427 (1999)
  11. E. Hadji, J. Bleuse, N. Magnea, J.L. Pautrat. Appl. Phys. Lett., 67, 2591 (1995)
  12. M. Aydaraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin, W.W. Bewley, J.R. Lindle, J.R. Meyer. Appl. Phys. Lett., 81 (7), 1166 (2002)
  13. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 34 (1), 99 (2000)
  14. A. Krier, V.V. Sherstnev, H.H. Gao, J. Phys. D: Appl. Phys., 33, 1656 (2000)
  15. B.A. Matveev, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. J. Mod. Optics, 49 (5/6), 743 (2002)
  16. Н.П. Есина, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов. ФТП, 3 (5), 1370 (1969)
  17. A. Krier, Y. Mao. Infr. Phys. \& Technology, 38, 397 (1997)
  18. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 35 (5), 619 (2001)
  19. W.W. Bewley, M.J. Jurkovic, C.L. Felix, J.R. Lindle, I. Vurgaftman, J.R. Meyer, E.H. Aifer, J.E. Butler, S.P. Tobin, P.W. Norton, M.A. Hutchins. Appl. Phys. Lett., 78\^(20), 3082 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.