Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1991, выпуск 5
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 5
Гуревич С.А., Федорович А.Е., Федоров А.В.
Исследование краевого поглощения света в легированном GaAs при комнатной температуре
769
Ершов В.С., Зайцевская 3.А., Кальфа А.А., Крюков А.Р., Матыцын С.В., Пашковский А.Б., Федоров Ю.Ю.
Влияние глубоких уровней на вольт-амперные характеристики гетероструктурных полевых транзисторов с селективным легированием
776
Сырбу Н.Н., Хачатурова С.Б., Заднипру И.Б., Стратан Г.И.
Инфракрасные колебательные моды в кристаллах моноклинной модификации ZnP
2
, ZnAs
2
и CdP
4
783
Гуревич Ю.Г., Логвинов Г.Н.
Нелинейный токоперенос в полупроводниковых субмикронных образцах с обедненными поверхностными слоями
792
Калинушкин В.П., Юрьев В.А., Мурин Д.И.
Крупномасштабные скопления электрически активных дефектов в монокристаллах фосфида индия
798
Грессеров Б.Н., Соболев Н.А., Выжигин Ю.В., Елисеев В.В., Ликунова В.М.
Влияние атмосферы термообработки на диффузию алюминия в кремнии
807
Шеховцов Н.А.
Температурная зависимость поглощения излучения миллиметрового диапазона n-германием
813
Бальчюнас В., Балявичюс С., Ченис А., Шикторов Н.
Аномальная зависимость времени включения от перенапряжения в сверхбыстродействующих переключателях на основе аморфных полупроводников
818
Бабянскас Э., Бальчюнас В., Балявичюс С., Ченис А., Шикторов Н., Ясутис В.
Кинетика наносекундной электрической "формовки" переключающих элементов на основе некристаллических пленок Ge
x
Te
1-x
823
Бобрикова О.В., Обрехт М.С., Стась В.Ф.
Зарядовые состояния первичных радиационных дефектов и процессы дефектообразования в области пространственного заряда кремниевых диодных структур
828
Бабицкий Ю.М., Васильева М.В., Гринштейн П.М., Ильин М.А., Ремизов О.А.
О влиянии термической предыстории на образование кислородных доноров в кремнии
838
Рыжиков В.Д., Гаврюшин В.И., Казлаускас А., Рачюкайтис Г.
Влияние термообработки на формирование центров рекомбинации в изовалентно легированных кристаллах ZnSe(Te)
841
Антонова И.В., Шаймеев С.С.
Температурная зависимость амплитуды пика DLTS в кремнии с глубокими центрами
847
Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов А.М., Игнатенко Е.С., Строкан Н.Б., Туребеков У.Ш., Борани Й., Шмидт Б.
К вопросу о спектре глубоких уровней, создаваемых в кремниевых детекторах излучений alpha-частицами
852
Грибников 3.С., Райчев О.Э.
X-управление туннельным током Г-электронов в ГXГ-гетероструктуре
859
Гасан-заде С.Г., Жадько И.П., Зинченко Э.А., Фридрих Е.С., Шепельский Г.А.
Влияние анодного окисления поверхности на характеристики фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в кристаллах Cd
x
Hg
1-x
Te
871
Мельничук С.В., Чернов В.М., Юрийчук И.Н.
Характеристики динамики решетки HgTe, CdTe и их твердых растворов
876
Андреев Б.А., Козлов Е.Б., Лифшиц Т.М.
О ширине линий примесных оптических переходов в адсорбционных и фототермоионизационных спектрах
880
Грехов И.В., Зазулин С.В., Кардо-Сысоев А.Ф.
Ударная ионизация в кремнии в слабых полях
885
Домашевская Э.П., Неврюева Е.Н., Грушка Г.Г., Говалешко Н.П., Баев А.С., Терехов В.А.
Влияние стехиометрических вакансий на поведение потолка валентной зоны в твердых растворах (In
2
Te
3
)
x
-(HgTe)
1-x
893
Астрова Е.В., Бобровникова И.А., Вилисова М.Д., Ивлева О.М., Лаврентьева Л.Г., Лебедев А.А., Тетеркина И.В., Чалдышев В.В., Чернов Н.А., Шмарцев Ю.В.
Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы
898
Аитов Р.Д., Ржевкин К.С., Ткачев С.Н.
Нелинейность вольт-амперной характеристики полупроводников при слабых электрических полях
904
Гореленок А.Т., Рехвиашвили Д.Н., Надточий М.Ю., Устинов В.М.
In
0.53
Ga
0.47
As/In
0.88
Ga
0.12
As
0.23
P
0.77
-гетероструктуры с двумерным электронным газом
908
Гуменюк-Сычевская Ж.В., Сизов Ф.Ф.
Динамика нелинейной рефракции в структурах с квантовыми ямами PbTe/Pb
1-x
Sn
x
Te
913
Слободян В.3., Радевич Е.И., Гавалешко Н.П.
Электронная структура и степень ионности алмазоподобных полупроводников в приближении метода кристаллических функций компонентов
919
Двуреченский А.В., Каранович А.А., Колесникова О.Л.
ЭПР мелких доноров в квантовых ямах: водородоподобная модель
923
Гарбузов Д.3., Овчинников А.В., Пихтин Н.А., Тарасов И.С., Халфин В.Б.
Экспериментальное и теоретическое исследование особенностей пороговых и мощностных характеристик РО ДГС InGaAsP/InP-лазеров (lambda=1.3 мкм)
928
Гольдин А.А., Сурис Р.А.
Влияние спин-орбитального взаимодействия на пограничные состояния на гетеропереходах
934
Сафронов Е.Ю., Синявский Э.П.
Лазерно-индуцированное поглощение звука в полупроводниках в квантующем магнитном поле
943
Грушка Г.Г., Гавалешко Н.П., Грушка 3.М.
Отрицательное дифференциальное сопротивление в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями
945
Городниченко О.К.
Ротационный механизм пластической деформации в эпитаксиальных структурах арсенида галлия
947
Лашкарев Г.В., Бродовой А.В., Радченко М.В., Мисюра И.В.
Магнитная восприимчивость и термоэдс узкощелевых полупроводников Pb
0.82
Sn
0.18
Se, легированных марганцем
950
Басалаев Ю.М., Полыгалов Ю.И., Поплавной А.С.
Температурная зависимость энергетических уровней в полупроводниковых соединениях A
II
B
IV
C
2
V
952
Катеринчук В.Н., Ковалюк М.3.
P-n-гомогенные InSe-фотодиоды
954
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук