"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурная зависимость амплитуды пика DLTS в кремнии с глубокими центрами
Антонова И.В.1, Шаймеев С.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 19 апреля 1991 г.

Рассмотрены физические процессы, приводящие к зависимости амплитуды пика DLTS от температуры в кремнии с глубокими центрами, а именно: 1) наличие конкурирующего процесса выброса носителей в зону; 2) температурная зависимость сечения захвата носителей заряда на глубокие уровни (ГУ); 3) существенный вклад переходного слоя на границе между обедненной и квазинейтральной областями диода при работе с малыми напряжениями обратного смещения или высокой концентрации ГУ; 4) наличие нескольких центров с близкими значениями энергий уровней; 5) высокое омическое сопротивление в базовой цепи диода; 6) локально-неоднородное распределение ГУ по объему кристалла. Обсуждается возможность с помощью проведения дополнительных экспериментов определить вклад перечисленных выше причин в наблюдаемый эффект. Для случая локально-неоднородного распределения глубоких уровней анализ температурной зависимости амплитуды сигнала DLTS дает возможность определить параметры заданной функции распределения ГУ в локальном скоплении (ЛС).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.