"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние термообработки на формирование центров рекомбинации в изовалентно легированных кристаллах ZnSe(Te)
Рыжиков В.Д.1, Гаврюшин В.И.1, Казлаускас А.1, Рачюкайтис Г.1
1Вильнюсский университет
Выставление онлайн: 19 апреля 1991 г.

Проведены исследования фотолюминесценции и наведенного лазером примесно-дефектного поглощения света в изовалентно легированных монокристаллах ZnSe(Te), подвергнутых отжигу в парах компонент. Выявлена динамика состава глубоких центров в зависимости от режима термообработки, которая позволяет объяснить соответствующие изменения эффективности полос излучательной рекомбинации. Из спектрального анализа компонент фотоиндуцированного поглощения, проявляющихся при отжигах в парах селена и теллура, приводящих к гашению большинства полос люминесценции, построена конфигурационная модель центров безызлучательной рекомбинации с эффективной фононной диссипацией энергии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.