Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1991, выпуск 3
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 3
Гусаков Г.М., Кондратова Т.Н., Минаждинов М.С., Ларюшин А.И.
О природе точечных дефектов в GaAs, возникающих при импульсном лазерном облученииB
369
Кольцов Г.И., Макаров В.В.
Некоторые эффекты, влияющие на профиль распределения внедренных ионов в кристаллических мишенях полупроводниковых соединений A
III
B
V
после ионной имплантации
373
Берковиц В.Л., Иванцов Л.Ф., Макаренко И.В., Львова Т.В., Хасиева Р.В., Сафаров В.И.
Исследование в сканирующем туннельном микроскопе поверхности арсенида галлия, пассивированной в водном растворе Na
2
S
379
Гуртов В.А., Травков И.В.
Моделирование процесса накопления объемного заряда в диэлектриках МДП структур при облучении
385
Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Заяц А.В., Буреев А.В., Левит А.Д.
Влияние низкотемпературного отжига на дефектную структуру кристаллов CdS : Li
390
Андаспаева А.А., Баранов А.Н., Гельмонт Б.Л., Джуртанов Б.Е., Зегря Г.Г., Именков А.Н., Яковлев Ю.П., Ястребов С.Г.
Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb
394
Захарова А.А., Рыжий В.И.
Осцилляции вольт-амперных характеристик монополярных транзисторных структур с квантовой ямой
402
Гарягдыев Г., Городецкий И.Я., Джумаев Б.Р., Корсунская Н.Е., Раренко И.М., Шейнкман М.К.
Механизмы изменения электрических и фотоэлектрических свойств монокристаллов твердых растворов Zn
x
Cd
1-x
Te под действием ультразвука
409
Ионов А.Н., Матвеев М.Н., Шлимак И.С., Воробкало Ф.М., Зарубин Л.И., Немиш И.Ю.
Электрофизические свойства нейтронно легированного германия с измененным изотопным составом
413
Чапланов А.М., Шибко А.Н., Лазаренко А.В., Чебуков Е.С., Энгелько В.И., Бортнянский А.Л., Клопенков М.Л., Павловец М.В.
Влияние электронно-лучевой обработки на контакт титан-кремний
417
Ройзин Я.О., Цыбесков Л.В.
Роль водорода в формировании и стабильности границы раздела кристаллический кремний-аморфный гидрированный кремний
422
Пляцко С.В., Громовой Ю.С., Костюнин Г.Е.
ЭПР и электрофизические свойства монокристаллических слоев PbTe : Mn, выращенных методом лазерной эпитаксии
427
Тихов С.В., Касаткин А.П., Карпович С.И.
Влияние токов утечки через изолятор на поведение МДП структур
434
Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А., Царенков Б.В., Шульга М.И.
Термоэлектронный обратный ток в GaAs поверхностно-барьерной структуре
439
Мельник Р.Б., Немов С.А., Житинская М.К., Прошин В.И.
Примесные состояния In в твердых растворах Pb
1-x
Sn
x
Se
444
Кучинский П.В., Ломако В.М., Петрунин А.П.
Влияние температуры облучения и электрического поля на образование и стабильность вакансионных дефектов в p-Si
448
Каминский В.Э.
Релаксация на оптических фононах импульса и энергии горячих электронов в гетероструктурах
453
Кадушкин В.И.
Затухание квантования Ландау как метод изучения совершенства границы раздела гетероперехода с 2D-электронами
459
Григорьев Н.Н., Карачевцева Л.А., Курбанов К.Р., Любченко А.В.
Влияние ростовых дислокаций на время жизни электронов в n-Cd
x
Hg
1-x
Te
464
Даунов М.И., Магомедов А.Б., Данилов В.И.
Влияние давления на явления переноса в CdSnAs
2
<Cu> с глубоким акцепторным уровнем
467
Гоголадзе Д.Т., Долгинов Л.М., Малькова Н.В., Мильвидский М.Г., Новикова В.М., Соловьева Е.В., Шепекина Г.В.
Особенности жидкофазной эпитаксии и электрофизических свойств эпитаксиальных слоев In
0.53
Ga
0.47
As : Sb
475
Аникин М.М., Зубрилов А.С., Лебедев А.А., Стрельчук А.П., Черенков А.Е.
Рекомбинационные процессы в 6H-SiC p-n-структурах и влияние на них глубоких центров
479
Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Мищук О.Н.
Фоточувствительность барьеров Шоттки Au-GaAs с микрорельефной поверхностью (область собственного поглощения света)
487
Кохановский С.И., Макушенко Ю.М., Сейсян Р.П., Эфрос Ал.Л., Язева Т.В., Абдуллаев М.А.
Параметры зонной структуры эпитаксиальных слоев в гетеропереходах In
1-x
Ga
x
As/InP
493
Линьков И.Ю., Морозенко Я.В.
Наблюдение ультрафиолетовой люминесценции в монокристаллическом SiC-6H
504
А.А.Гуткин, В.Е.Седов, А.Ф.Цацульников
Фотолюминесценция, связанная с центрами Au
Ga
в GaAs : Au
508
Абрамов В.В., Брандт Н.В., Кульбачинский В.А., Тимофеев А.В., Ульяшин А.Г., Шлопак Н.В., Горольчук И.Г.
Низкотемпературная электропроводность сильно легированного Si
513
Мусаев А.М.
Межподзонное излучение горячих дырок в Ge в сильных E normal H полях при одноосной упругой деформации
518
Добровинский Ю.М., Махкамов Ш., Мирзаев А., Митин В.И., Турсунов Н.А.
Влияние терморадиационной обработки на процесс образования дефектных центров в кремнии при электронном облучении
523
Амальская Р.М., Гамарц Е.М., Сафаров В.И.
Измерение эффективного времени жизни носителей заряда в полупроводниках
529
Бочкарева Н.И.
Емкостная спектроскопия германия с ростовыми дислокациями
537
Козловский В.В., Кольченко Т.И., Ломако В.М.
Влияние условий облучения на процессы дефектообразования в n-GaAs
545
Голикова О.А., Бабаходжаев У.С., Казанин М.М., Мездрогина М.М., Арлаускас К., Юшка Г.
Удельные сдвиги носителей тока и плотность состояний аморфного гидрированного кремния
551
Иванов Н.А., Заблоцкий В.В.
Оптимизация условий облучения при ядерном легировании полупроводников
553
Жуковский П.В., Канторов С.Б., Кищак К., Мончка Д., Стельмах В.Ф.
Аномальная зависимость коэффициента отражения Si от дозы имплантации ионов Ar
+
при T>330 K
556
Климакова Н.Н., Осипов Е.Б., Осипова Н.А., Цветкова Е.В.
Роль обменного взаимодействия в пьезоспектроскопических свойствах экситона, связанного на акцепторе Sn в GaAs
558
Емцев В.В., Клингер П.М., Миразизян К.М.
Зависимость скорости образования вторичных дефектов в p-Si от интенсивности электронного облучения
561
Сарсембинов Ш.Ш., Приходько О.Ю., Мальтекбасов М.Ж., Максимова С.Я., Аверьянов В.Л.
Биполярная фотопроводимость в аморфных пленках As
2
Se
3
564
Кадушкин В.И., Ивашова Т.А.
Гетероструктура с 2D-электронами как датчик Холла
566
КрючковD С.В.
Эволюция параметров солитона в сверхрешетке в процессе ионизации примесей
568
Алфёров Ж.И.
Джон Бардин. Памяти великого физика современности
572
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук