Введение изовалентной примеси - сурьмы в нелегированные эпитаксиальные слои In_0.53Ga_0.47As, полученные жидкофазной эпитаксией из расплавов, содержащих геттерирующую примесь редкоземельного элемента (гадолиния), приводит к инверсии типа проводимости эпитаксиальных слоев (p-> n). Увеличение концентрации сурьмы в слоях выше ~10¹⁸ см^-3 приводит к возрастанию концентрации электрически активных центров донорного типа. При этом рассеяние электронов на флуктуациях решеточного потенциала приобретает резонансный характер, что может быть обусловлено изменением пространственного расположения основных и примесных атомов в твердом растворе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.