Проведено исследование времени жизни и диффузионных длин неосновных носителей тока в p-n-структурах, изготовленных на основе 6H-SiC по различным технологиям. Методом DLTS исследованы концентрации и параметры имеющихся в этих структурах глубоких уровней (ГУ). Исходя из статистики Шокли-Рида показано, что два обнаруженных ГУ (S(E_c-0.35 эВ) и R(E_c-1.27 эВ)) могут определять рекомбинационные процессы в исследовавшихся p-n-структурах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.