"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фоточувствительность барьеров Шоттки Au-GaAs с микрорельефной поверхностью (область собственного поглощения света)
Борковская О.Ю.1, Дмитрук Н.Л.1, Мищук О.Н.1
1Институт полупроводников АН УССР, Киев
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Исследовано влияние характера микрорельефа поверхности GaAs, созданного способом химического анизотропного травления, и предварительной обработки поверхности, предшествующей напылению слоя металла, на величину и спектральные зависимости фоточувствительности барьеров Шоттки Au-GaAs в области собственного поглощения света. Определен оптимальный характер микрорельефа. Проведен анализ, позволивший оценить вклад различных факторов в формирование фоточувствительности структур с микрорельефной поверхностью - оптических (увеличение пропускания света в полупроводник за счет многократных отражений на рельефе фронтальной поверхности и уменьшения толщины пленки Au) и изменения рекомбинационных свойств границы раздела Au-GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.