Исследовано влияние характера микрорельефа поверхности GaAs, созданного способом химического анизотропного травления, и предварительной обработки поверхности, предшествующей напылению слоя металла, на величину и спектральные зависимости фоточувствительности барьеров Шоттки Au-GaAs в области собственного поглощения света. Определен оптимальный характер микрорельефа. Проведен анализ, позволивший оценить вклад различных факторов в формирование фоточувствительности структур с микрорельефной поверхностью - оптических (увеличение пропускания света в полупроводник за счет многократных отражений на рельефе фронтальной поверхности и уменьшения толщины пленки Au) и изменения рекомбинационных свойств границы раздела Au-GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.