"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Параметры зонной структуры эпитаксиальных слоев в гетеропереходах In1-xGaxAs/InP
Кохановский С.И.1, Макушенко Ю.М.1, Сейсян Р.П.1, Эфрос Ал.Л.1, Язева Т.В.1, Абдуллаев М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

При T=2 K и в магнитном поле до 7.5 Т выполнено исследование осциллирующего магнитопоглощения в эпитаксиальных слоях In1-xGaxAs, выращенных на подложке из InP. Измерения, проведенные на напряженных слоях и слоях с удаленной подложкой (свободных), позволили установить эффективные массы электрона и другие параметры зонной структуры слоев, а также рассчитать зависимость m*c на дне зоны проводимости от состава (x) и напряжений (e). При этом можно выделить влияние части, обусловленной несоответствием решеток (Delta a normal /a||) и однозначно связанной с составом, так же как составляющую, зависящую от остаточных напряжений e0 и включающую в себя ростовые напряжения и напряжения, связанные с различием в коэффициентах термического расширения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.