Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1990, выпуск 2
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 2
Барышев Н.С., Гельмонт Б.Л., Ибрагимова М.И.
Процессы рекомбинации носителей заряда в Cd
x
Hg
1-x
Te О б з о р
209
Паранчич С.Ю., Паранчич Л.Д., Макогоненко В.Н., Лотоцкая С.В.
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах Fe
x
Hg
1-x
Se
225
Фомин И.А., Фетисова В.И., Анненко Н.М., Науменко Н.В.
Исследование эпитаксиальных слоев InGaAsP с низким уровнем легирования
231
Аладашвили Д.И., Адамия З.А., Лавдовский К.Г., Левин Е.И., Шкловский Б.И.
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
234
Громовой Ю.С., Коровина Л.А., Пляцко С.В., Сизов Ф.Ф., Дарчук С.Д., Белоконь С.А.
Проявление донорного характера примеси в монокристаллах PbTe : Tl под действием ИК лазерного излучения
250
Булах Б.М., Кулиш Н.Р., Кунец В.П., Лисица М.П., Малыш Н.И.
Динамический эффект Бурштейна-Мосса в монокристаллическом CdSe и стекле КС-19
254
Парфенова И.И., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф.
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
258
Бузынин А.Н., Заболотский С.Е., Калинушкин В.П., Лукьянов А.Е., Мурина Т.М., Осико В.В., Плоппа М.Г., Татаринцев В.М., Эйдензон А.М.
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
264
Конников С.Г., Поссе В.А., Соловьев В.А., Уманский В.Е., Чистяков В.М.
Определение электрофизических параметров полупроводников методом математического моделирования сигнала индуцированного тока
271
Резников Б.И., Царенков Г.В.
Нестационарный фотоэффект в варизонной m-p-n-структуре. III. Ток короткого замыкания
276
Азоу С.А., Кульбачинский В.А., Миронова Г.А., Скипидаров С.Я.
Локальные состояния в In
x
Bi
2-x
Te
3
283
Быковский В.Ю., Вовненко В.И., Дмитрук Н.Л., Свечников С.В.
Влияние анизотропного травления на глубокие уровни в приповерхностной области арсенида галлия
287
Житинская М.К., Колодка С.В., Немов С.А.
Явления переноса в p-PbTe<Ag, Na>
292
Кольченко Т.И., Ломако В.М.
Модификация центра E3 в облученном n-GaAs
295
Болдырев С.Н., Виленкин А.Я., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М., Саакян А.А.
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO
2
-Si
300
Браташевский Ю.А., Николаенко Ю.М., Прозоровский В.Д., Несмелова И.М.
О модели двухэлектронной проводимости в Hg
1-x
CdTe
305
Фастыковский П.П., Канчуковский О.П.
Изменение высоты потенциального барьера контактов металл-кремний в условиях деформации
310
Курова И.А., Мочалова Д.А.
Метастабильные состояния в пленках a-Si : H, легированных бором
314
Капустин Ю.А., Колокольников Б.М., Свешников А.А.
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
318
Карягин В.В., Ляпилин И.И.
Резонансный захват носителей в спиновые квантовые ямы в магнитном поле
323
Полыгалов Ю.И., Поплавной А.С.
Зонная структура короткопериодичных (001)-сверхрешеток (AlAs)
n
(GaAs)
n
328
Долманов И.Н., Толстихин В.И.
Электроабсорбционная оптическая бистабильность в волноводной P-i-N ДГС с туннельно-резонансной нагрузкой
334
Бордовский Г.А., Савинова Н.А.
Влияние сильного электрического поля на фотоэлектрические характеристики халькогенидного стеклообразного полупроводника As
40
S
30
Se
30
342
Грибников З.С., Райчев О.Э.
Gamma X-перенос в реальном пространстве N-ОДП в слоистой структуре
346
Берковиц В.Л., Гольдберг Ю.А., Львова Т.В., Поссе Е.А., Хасиева Р.В.
Влияние приповерхностного электрического поля на анизотропию оптического отарежения поверхности (110) арсенида галлия
353
Алфёров Ж.И., Иванов С.В., Копьев П.С., Леденцов Н.Н., Мельцер Б.Я., Шапошников С.В.
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
359
Алфёров Ж.И., Журавлева В.В., Иванов С.В., Копьев П.С., Корольков В.И., Леденцов Н.Н., Мельцер Б.Я., Табаров Т.С.
Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании в (Al, Ga)As-GaAs-гетероструктурах с двойным барьером
361
Барышев Н.С., Ибрагимова М.И., Хайбуллин И.Б.
Рекомбинационные свойства кристаллов Cd
x
Hg
1-x
Te<Xe>
363
Араслы Д.Г., Рагимов Р.Н., Алиев М.И.
Особенности рассеяния фононов в твердом растворе Ga
x
In
1-x
As
365
Сукач Г.А., Сыпко Н.И.
Влияние нейтронного облучения на спектры электролюминесценции прямозонного GaAsP, легированного цинком
368
Бабенцов В.Н., Буденная Л.Д., Горбань С.И., Друзь Б.Л., Евтухов Ю.Н.
Изменение механизма локализации экситонов в CdS
1-x
Te
x
при структурном преобразовании решетки
370
Колесников Н.В., Ломасов В.Н., Мальханов С.Е.
Влияние интенсивности электронного облучения на накопление K-центров в кремнии
372
Емцев В.В., Далуда Ю.Н., Шаховцов В.И., Шиндич В.Л., Неймаш В.Б., Антоненко Р.С., Шмальц К.
Кислородосодержащие термодоноры, образующиеся в кремнии при горячем" gamma-облучении
374
Литвинов В.В., Пальчик Г.В., Уренев В.И.
О влиянии радиационных дефектов на кинетику образования термодоноров в кремнии
376
Вавилов С.Е., Гречко Л.Г., Левандовский В.Г., Мальнев В.Н., Чайка Г.Е.
Горячие экситоны в области неоднородного электрического поля
379
Гицу Д.В., Гринчешен И.Н., Зайковский А.В.
Электрические и спектральные характеристики структур Au-n-TlSbS
2
382
Григорчак И.И., Нетяга В.В., Бахматюк Б.П., Гаврилюк С.В., Ковалюк З.Д., Марчук И.З.
Особенности изменения физических свойств InSe интеркалированием хлором
386
Панов В.П., Панова Г.Д., Туриев А.М., Шейнкман М.К.
Нестабильность проводимости пленок сульфида кадмия, обусловленная фотостимулированной диффузией кислорода
388
Аннотации депонированных статей
391
Юрий Васильевич Шмарцев (к 60-летию со дня рождения)
393
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук