Проанализированы особенности спектров НЕСГУ диодов Шоттки, изготовленных путем напыления Al на микрорельефную поверхность GaAs. Показано, что особенности спектров НЕСГУ обусловлены изменением стехиометрического состава поверхности и приповерхностной области GaAs после анизотропного травления поверхности; влиянием сильного электрического поля, возникающего в области пространственного заряда под неплоской поверхностью GaAs. Использование макрогетерогенной модели для аппроксимации спектров на ЭВМ позволяло определить распределения электрического поля и концентрации центров EL2 под неплоской поверхностью GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.