Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2006, выпуск 8
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, выпуск 8
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Хлудков С.С.
Влияние смещения электронно-дырочного равновесия на процесс диффузии переходных металлов в GaAs
897
Александров О.В.
Влияние кислорода на сегрегационное перераспределение редкоземельных элементов в аморфизованных имплантацией слоях кремния
903
Белоусов И.В., Кузнецов Г.В., Пчеляков О.П.
Направленная латеральная кристаллизация силицидной фазы кобальта на поверхности кремния
909
Электронные и оптические свойства полупроводников
Саченко А.В., Горбань А.П., Костылев В.П., Соколовский И.О.
Параметр излучательной рекомбинации и внутренний квантовый выход электролюминесценции в кремнии
913
Пагава Т.А.
Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si
919
Скипетров Е.П., Зверева Е.А., Дмитриев Н.Н., Голубев А.В., Слынько В.Е.
Стабилизация уровня Ферми резонансным уровнем галлия в сплавах Pb
1-x
Sn
x
Te
922
Кастро Р.А., Немов С.А., Серегин П.П.
Обнаружение однократно ионизованного состояния двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Pb
1-x
Sn
x
S
927
Баранов П.Г., Бер Б.Я., Годисов О.Н., Ильин И.В., Ионов А.Н., Калитеевский А.К., Калитеевский М.А., Лазебник И.М., Сафронов А.Ю., Пол Х.-Дж., Риманн Х., Абросимов Н.В., Копьев П.С., Буланов А.Д., Гусев А.В.
Особенности нейтронного легирования фосфором кристаллов кремния, обогащенных изотопом
30
Si: исследования методом электронного парамагнитного резонанса
930
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А., Раранский Н.Д.
Характеристики гетеропереходов окисел--p-InSe в условиях рентгеновского облучения
940
Баранов И.Л., Табулина Л.В., Становая Л.С., Русальская Т.Г.
Влияние быстрого отжига на электрофизические свойства структур SiO
2
/Si с тонкими слоями анодного оксида кремния
944
Гурин Н.Т., Афанасьев А.М., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В.
Туннелирование и ударная ионизация в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn
949
Низкоразмерные системы
Бондарь Н.В., Бродин М.С., Тельбиз Г.М.
Вклад внутренних и поверхностных состояний носителей заряда в спектры излучения квантовых точек CdS в боросиликатном стекле
962
Саченко А.В., Корбутяк Д.В., Крюченко Ю.В., Купчак И.М.
Экситонная фотолюминесценция структур с кремниевыми квантовыми ямами
969
Петров В.А., Никитин А.В.
Управление электрическим полем эффектами пространственной повторяемости и мультипликации электронных волн в полупроводниковых двумерных наноструктурах
977
Физика полупроводниковых приборов
Сазонов А., Мейтин М., Стряхилев Д., Nathan A.
Низкотемпературные материалы и тонкопленочные транзисторы для электроники на гибких подложках
986
Ащеулов А.А., Гуцул И.В.
Особенности анизотропных оптикотермоэлементов
995
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шустов В.В., Тараканова Н.Г.
Флип-чип светодиоды на основе InAs с буферными слоями из InGaAsSb
1004
Анкудинов А.В., Евтихиев В.П., Ладутенко К.С., Титков А.Н., Laiho R.
Сканирующая кельвин-зонд-микроскопия утечки дырок из активной области работающего инжекционного полупроводникового лазерного диода
1009
Слипченко С.О., Соколова З.Н., Пихтин Н.А., Борщев К.С., Винокуров Д.А., Тарасов И.С.
Конечное время рассеяния энергии носителей заряда как причина ограничения оптической мощности полупроводниковых лазеров
1017
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук