Вышедшие номера
Влияние быстрого отжига на электрофизические свойства структур SiO2/Si с тонкими слоями анодного оксида кремния
Баранов И.Л.1, Табулина Л.В.1, Становая Л.С.1, Русальская Т.Г.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 3 октября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.

Исследованы особенности влияния быстрого отжига на электрофизические характеристики структур SiO2/Si с тонкими слоями анодного оксида кремния (с толщиной диэлектрических слоев ~10 нм), сформированных на подложках из монокристаллического кремния, в зависимости от полупроводниковых свойств кремниевой основы, длительности, температуры и среды термического воздействия. Определена оптимальная длительность высокотемпературного отжига этих структур в инертной среде для их использования в технологии наноразмерных МОП структур интегральных схем. PACS: 73.40.Qv, 81.65.Mq, 85.30.Tv