Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2023
- 1
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние быстрого отжига на электрофизические свойства структур SiO₂/Si с тонкими слоями анодного оксида кремния

Баранов И.Л.¹, Табулина Л.В.¹, Становая Л.С.¹, Русальская Т.Г.¹

¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Поступила в редакцию: 3 октября 2005 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы особенности влияния быстрого отжига на электрофизические характеристики структур SiO₂/Si с тонкими слоями анодного оксида кремния (с толщиной диэлектрических слоев ~10 нм), сформированных на подложках из монокристаллического кремния, в зависимости от полупроводниковых свойств кремниевой основы, длительности, температуры и среды термического воздействия. Определена оптимальная длительность высокотемпературного отжига этих структур в инертной среде для их использования в технологии наноразмерных МОП структур интегральных схем. PACS: 73.40.Qv, 81.65.Mq, 85.30.Tv

R.C. Merkle. IEEE Spectrum, 38 (1), 19 (2001)
T. Skotnicki. C.R. Acad. Sci. Ser. 4, 1, 885 (2000)
R. Compano, A. Hullmann. Nanotechnology, 13, 243 (2002)
W.Y. Gross, D. Uasileska, D.K. Ferry. J. Appl. Phys., 91, 3737 (2002)
E. Maranda, Y. Sune, X. Oriols. J. Non-Cryst. Sol., 280 (1--3), 132 (2001)
И.Л. Баранов, Л.С. Становая, Л.В. Табулина, Т.Г. Русальская. Электрохимия, 40, 228 (2004)
P. Roy, D.G. AmitaUa, D.G. Nandita. IEEE Electron. Dev. Lett., 23, 707 (2002)
И.Л. Баранов, Л.С. Становая. Электрохимия, 23, 890 (1987)
В.Ю. Киреев, А.С. Цимбалов. Микроэлектроника, 30, 266 (2001)
А.И. Гурский, Н.В. Румак, В.В. Куксо. Зарядовые свойства МОП-структур (Минск, Наука и техника, 1980) гл. 1, с. 29
А.И. Беляева, А.А. Галуза, С.И. Коломиец. ФТП, 38, 1050 (2004)
И.Л. Баранов, Л.С. Становая, С.Д. Степанищев, Г.В. Литвинович. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 25, 406 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель