"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Туннелирование и ударная ионизация в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn
Гурин Н.Т.1, Афанасьев А.М.1, Сабитов О.Ю.1, Рябов Д.В.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Поступила в редакцию: 23 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.

Выполнен анализ погрешностей определения глубины уровней поверхностных состояний катодной границы раздела диэлектрик-люминофор, ширины потенциального барьера и вероятности туннелирования электронов с поверхностных состояний при численном моделировании экспериментальных зависимостей тока, протекающего через слой люминофора, от времени. Получены зависимости указанных параметров от времени для полного цикла работы электролюминесцентных излучателей, установлено влияние на них частоты и амплитуды импульсов напряжения возбуждения, а также засветки излучателей в синей области спектра во время паузы между импульсами. Определены зависимости от времени коэффициента умножения и числа ионизаций, приходящихся на один электрон в области ударной ионизации. Оценена максимальная величина коэффициента ударной ионизации, составляющая >=q 2.6· 104 см-1. PACS: 78.60.Fi, 78.66.Hf
  1. D.H. Smith. J. Luminesc., 23 (1), 209 (1981)
  2. Электролюминесцентные источники света, под ред. И.К. Верещагина (М., Энергоатомиздат, 1990)
  3. W. Ruhle, V. Marrello, A. Onton. J. Electron. Mater., 8 (6), 839 (1979)
  4. W.E. Howard, O. Sahni, M. Alt. J. Appl. Phys., 53 (1), 639 (1982)
  5. E. Bringuier. J. Appl. Phys., 66 (3), 1314 (1989)
  6. K.A. Neyts, P. De Visschere. J. Appl. Phys., 68 (8), 4163 (1990)
  7. В.П. Васильченко. ЖПС, 63 (3), 461 (1996)
  8. J.C. Hitt, P.D. Keir, J.F. Wager, S.S. Sun. J. Appl. Phys., 83 (2), 1141 (1998)
  9. Н.Т. Гурин, Д.В. Рябов, О.Ю. Сабитов, А.М. Афанасьев. Письма ЖТФ, 31 (3), 79 (2005)
  10. Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов, А.В. Шляпин. ЖТФ, 71 (8), 48 (2001)
  11. Н.Т. Гурин, А.В. Шляпин, О.Ю. Сабитов. ЖТФ, 72 (2), 74 (2002)
  12. А.Н. Георгобиани, П.А. Пипинис. Туннельные явления в люминесценции полупроводников (М., Мир, 1994)
  13. Н.Т. Гурин, Д.В. Рябов. ЖТФ, 75 (1), 45 (2005)
  14. Н.Т. Гурин, А.В. Шляпин, О.Ю. Сабитов. ЖТФ, 73 (4), 100 (2003)
  15. Н.Т. Гурин, А.В. Шляпин, О.Ю. Сабитов, Д.В. Рябов. ЖТФ, 73 (4), 90 (2003)
  16. Н.Т. Гурин, Д.В. Рябов. Письма ЖТФ, 30 (9), 89 (2004)
  17. Р. Мах. В кн.: Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения, под ред. Г. Харбеке (М., Мир, 1989) с. 264
  18. Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов. ЖТФ, 69 (5), 65 (1999)
  19. S. Shin, P.D. Keir, J.F. Wager, J. Viljanen. J. Appl. Phys., 78 (9), 5775 (1995)
  20. A. Zeinert, C. Barthou, P. Benalloul, J. Benoit. Semicond. Sci. Technol., 12, 1479 (1997)
  21. Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. Справочные таблицы (М., Воениздат, 1982) с. 28

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.