Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2004, выпуск 6
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, выпуск 6
Обзоры
Макарова Т.Л.
Магнитные свойства углеродных структур О б з о р
641
Электронные и оптические свойства полупроводников
Пагава Т.А.
Исследование рекомбинационных центров в облученных кристаллах p-Si
665
Шатковскис Э., Чеснис А.
Длинноволновый край спектра излучения горячей электронно-дырочной плазмы в фотовозбужденном арсениде индия
670
Алтыбаев Г.С., Броневой И.Л., Кумеков С.Е.
Выступ на спектрах поглощения GaAs, возбужденного мощными пикосекундными импульсами света
674
Александрова Е.Л., Носова Г.И., Соловская Н.А., Ромашкова К.А., Лукьяшина В.А., Конозобко Е.В., Кудрявцев В.В.
Светочувствительные полиимиды, содержащие в цепи замещенные дифенилметановые фрагменты
678
Матяш И.Е., Сердега Б.К.
Анализ поляризационно-модуляционных спектров индуцированного одноосным сжатием фотоплеохроизма в кристалле Ge
684
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Воробец Г.И., Воробец М.М., Стребежев В.Н., Бузанeва Е.В., Шкавро А.Г.
Исследование физических механизмов лазерной коррекции и стабилизации параметров структур Al-n-n
+
-Si-Al с барьером Шоттки
690
Давыдов А.Б., Аронзон Б.А.
Долговременные релаксации проводимости квазидвумерных сильно разупорядоченных МДП структур
693
Атаев Б.М., Аливов Я.И., Мамедов В.В., Махмудов С.Ш., Магомедов Б.А.
Особенности получения и некоторые свойства гетероперехода n-ZnO : Ga/p-GaN : Mg/alpha-Al
2
O
3
699
Мурыгин В.И.
Высокочастотная барьерная емкость контакта металл--полупроводник и резкого p-n-перехода
702
Лундин В.В., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Заварин Е.Е., Бесюлькин А.И., Фомин А.В., Сизов Д.С.
Выращивание эпитаксиальных слоев AlGaN и сверхрешеток AlGaN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
705
Берман Л.С., Титков И.Е.
Структурные дефекты на границе раздела сегнетоэлектрик-полупроводник
710
Низкоразмерные системы
Зерова В.Л., Воробьев Л.Е., Зегря Г.Г.
Электрон-электронное рассеяние в ступенчатых квантовых ямах
716
Талалаев В.Г., Tomm J.W., Zakharov N.D., Werner P., Новиков Б.В., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Егоров В.А., Поляков Н.К., Устинов В.М.
Спектроскопия экситонных состояний квантовых молекул InAs
723
Дричко И.Л., Дьяконов А.М., Смирнов И.Ю., Гальперин Ю.М., Преображенский В.В., Торопов А.И.
Роль слоев Al
0.3
Ga
0.7
As, легированных Si, в высокочастотной проводимости гетероструктур GaAs/Al
0.3
Ga
0.7
As в режиме квантового эффекта Холла
729
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М.
Формирование толстых слоев пористого кремния при недостаточной концентрации неосновных носителей
739
Физика полупроводниковых приборов
Гребенщикова Е.А., Именков А.Н., Журтанов Б.Е., Данилова Т.Н., Сиповская М.А., Власенко Н.В., Яковлев Ю.П.
Трансформация коротковолновой полосы излучения двухзарядного природного акцептора в длинноволновую в светодиодах на основе GaSb
745
Шулекин А.Ф., Тягинов С.Э., Khlil R., El Hdiy A., Векслер М.И.
Мягкий пробой как причина спада тока в туннельной МОП структуре
753
Карачинский Л.Я., Гордеев Н.Ю., Новиков И.И., Максимов М.В., Ковш А.Р., Wang J.S., Hsiao R.S., Chi J.Y., Устинов В.М., Леденцов Н.Н.
Температурные электролюминесцентные исследования излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе InGaAsN/GaAs
757
Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Мусихин Ю.Г., Леденцов Н.Н., Жуков А.Е., Васильев А.П., Ковш А.Р., Михрин С.С., Семенова Е.С., Малеев Н.А., Никитина Е.В., Устинов В.М., Алфёров Ж.И.
Мощные лазеры на квантовых точках InAs--InGaAs спектрального диапазона 1.5 мкм, выращенные на подложках GaAs
763
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук