"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурные электролюминесцентные исследования излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе InGaAsN/GaAs
Карачинский Л.Я.1, Гордеев Н.Ю.1, Новиков И.И.1, Максимов М.В.1, Ковш А.Р.1,2, Wang J.S.2, Hsiao R.S.2, Chi J.Y.2, Устинов В.М.1, Леденцов Н.Н.1,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Индустриально-технологический исследовательский институт, 310 Ксинчу, Тайвань, Китайская Республика
3Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 19 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

Проведены исследования мощностных, спектральных и пространственных характеристик излучения инжекционных лазеров с активной областью на основе твердого раствора InGaAsN, выращенных на подложкх GaAs. Исследования проводились в широком диапазоне температур (77--300 K) при различных плотностях тока накачки. Показано, что увеличение содержания азота в твердом растворе InGaAsN может приводить к модификации структуры квантовой ямы, выражающейся в спонтанном формировании нанокластеров InGaAsN. Эти изменения приводят к возникновению N-образной температурной зависимости пороговой плотности тока и дифференциальной ватт-амперной эффективности.
  1. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, Y. Yazawa. Jap. J. Appl. Phys., 35, 1273 (1996)
  2. A.Yu. Egorov, D. Bernklau, D. Livshits, V. Ustinov, Zh.I. Alferov, H. Riechert. Electron. Lett., 35, 1643 (1999)
  3. C.W. Coldren, M.C. Larson, S.G. Spruytte, J.S. Harris. Electron. Lett., 36, 951 (2000)
  4. M. Fischer, M. Reinhardt, A. Forchel. Electron. Lett., 36, 1208 (2000)
  5. J.S. Harris. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 1145 (2000)
  6. G. Steinle, H. Riechert, A.Yu. Egorov. Electron. Lett., 37, 93 (2001)
  7. В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.В. Мамутин, Е.В. Никитина, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 29, 77 (2003)
  8. H. Temkin, D. Coblentz, R.A. Logan, J.P. van der Ziel, T. Tanbun-Ek, R.D. Yadvish, A.M. Sergent. Appl. Phys. Lett., 62, 2402 (1993)
  9. M. Yano, H. Nishi, M. Tukusagawa. J. Appl. Phys., 52, 3172 (1981)
  10. H. Ishikawa, I. Suemune. IEEE Phot. Techn. Lett., 6, 344 (1994)
  11. N.Yu. Gordeev, A.M. Georgievski, V.I. Kopchatov, S.V. Zaitsev, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev. Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 1997) p. 183
  12. И.И. Новиков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.Ю. Гордеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. ФТП, 37, 270 (2003)
  13. L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
  14. B.M. Volovik, A.R. Kovsh, W. Passenberg, H. Kuenzel, N. Grote, N.A. Cherkashin, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 16, 186 (2001)
  15. Н.Ю. Гордеев, С.В. Зайцев, В.И. Копчатов, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, В.М. Устинов, П.С. Копьев, Письма ЖТФ, 26, 78 (2000).
  16. M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, D. Bimderg. J. Electron. Mater., 29, 476 (2000)
  17. A. Markus, J.X. Chen, C. Paranthonen, A. Fiore, C. Platz, O. Gauthier-Lafaye. Appl. Phys. Lett., 82, 1818 (2003)
  18. A. Polimeni, M. Capizzi, M. Geddo, M. Fischer, M. Reinhardt, A. Forchel. Appl. Phys. Lett., 77, 2870 (2000)
  19. R.A. Mair, J.Y. Lin, H.X. Jiang, D.E. Jones, A.A. Allerman, S.R. Kurtz. Appl. Phys. Lett., 76, 188 (2000)
  20. S. Shirakata, M. Kondow, T. Kitatani. Appl. Phys. Lett., 80, 2087 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.