Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1996, выпуск 8
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1996, том 30, выпуск 8
Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Копьев П.С., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Устинов В.М., Цацульников А.Ф., Алферов Ж.И., Федоров Д.Л., Бимберг Д.
Оптический диапазон излучения структур с напряженными квантовыми точками InAs в GaAs
1345
Айдаралиев М., Бреслер М.С., Гусев О.Б., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.
Лазерные ДГС на основе InAsSbP--InAs--InAsSbP с p- n-переходом в активной области
1353
Водопьянов В.Н., Волков В.Л., Кондратенко М.М., Литвинов В.И.
Энергетические примесные состояния в легированных кадмием эпитаксиальных слоях Pb
0.8
Sn
0.2
Te
1362
Игнатьев А.С., Копылов В.Б., Шмелев С.С., Перов П.И.
Экситонные модуляторы света на основе гетероструктур с системой квантовых ям
1370
Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Салихов Х.М., Мередов М.М., Язлыева А.И.
Электрические и фотоэлектрические характеристики гибридной изотипной гетероструктуры p-InP-- p-InGaAs с барьером Шоттки Pd-- p-InP
1378
Пахомов А.А., Халипов К.В., Яссиевич И.Н.
Локальные электронные состояния в полупроводниковых квантовых ямах
1387
Добровольский В.Н., Сырых А.Д.
Токи отдельных лавин в области пространственного заряда p-n-перехода
1395
Иванчик И.И., Хохлов Д.Р., де Виссер А.
Особенности магнитосопротивления сплавов Pb
1- x
Sn
x
Te(In) и Pb
1- x
Mn
x
Te(In) в сверхсильных магнитных полях
1400
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Шунеманн П.Г.
Фотолюминесценция монокристаллов p-ZnGeP
2
1412
Давыдов В.Н., Несмелов С.Н.
Релаксация фотоэдс в кремниевых МДП структурах при действии электрического импульса
1419
Бабенцов В.Н.
Излучательная рекомбинация механически разупорядоченного нелегированного p-CdTe
1426
Казакевич Л.А., Лугаков П.Ф.
Рекомбинация носителей заряда на радиационных дефектах в бездислокационном n-кремнии, полученном методом зонной плавки
1434
Байдуллаева А., Власенко А.И., Власенко Ю.В., Даулетмуратов Б.К., Мозоль П.Е.
Изменение электрофизических свойств монокристаллов CdTe при прохождении ударной волны от импульса излучения лазера
1438
Антонова И.В., Мисюк А., Попов В.П., Федина Л.И., Шаймеев С.С.
Исследования методом DLTS эволюции кислородных преципитатов, сформированных в Si, при высокой температуре и высоком давлении
1446
Олих Я.М., Карась Н.И.
О влиянии ультразвука на отжиг радиационных дефектов в нейтронно-легированном германии
1455
Гуцуляк Л.М., Иванов-Омский В.И., Цыпишка Д.И.
Фотовозбуждение мелкого акцептора в p-InSb
1460
Лебедев Э.А., Петрова-Кох В., Полисский Г.
Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом кремнии
1468
Зотеев А.В., Кашкаров П.К., Образцов А.Н., Тимошенко В.Ю.
Электрохимическое формирование и оптические свойства пористого фосфида галлия
1473
Кашкаров П.К., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю.
Механизмы влияния адсорбции молекул на рекомбинационные процессы в пористом кремнии
1479
Дроздов С.В., Кипшидзе Г.Д., Лебедев В.Б., Новиков С.В., Шаронова Л.В.
Эллипсометрическое исследование эпитаксиальных слоев твердых растворов InGaAs и InAlAs, изопериодических с InP
1491
Резников Б.И.
О распределении электрического поля в высокоомных сильно смещенных МДПДМ структурах
1497
Корсунская Н.Е., Торчинская Т.В., Джумаев Б.Р., Булах Б.М., Смиян О.Д., Капитанчук А.Л., Антонов С.О.
Зависимость фотолюминесценции пористого Si от состава вещества на поверхности кремниевых нитей
1507
Буянова И.А., Городецкий И.Я., Корсунская Н.Е., Савчук А.У., Шейнкман М.К., Мельник Т.Н., Раренко И.М.
Сенсибилизированная люминесценция пористого кремния и ее поляризационные характеристики
1516
Леотин Ж., Рыльков В.В.
Термоактивационная спектроскопия малых количеств мелких сопутствующих примесей в легированном слабо компенсированном кремнии
1525
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук