Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Зависимость фотолюминесценции пористого Si от состава вещества на поверхности кремниевых нитей

Корсунская Н.Е.¹, Торчинская Т.В.¹, Джумаев Б.Р.¹, Булах Б.М.¹, Смиян О.Д.², Капитанчук А.Л.², Антонов С.О.²

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
²Институт электросварки Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 30 июня 1995 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что люминесцентное излучение пористого Si исходит главным образом из тонкой приповерхностной области (1000/2000 Angstrem). Одной из причин этого является снижение концентрации оборванных связей в приповерхностном слое вследствие эффекта их пассивации атомами водорода и гидроксильными группами. Другой причиной высокой яркости излучения приповерхностной области пористого слоя является повышенное содержание там окислов Si, поглощающих свет, возбуждающий фотолюминесценцию. При этом показано, что возбуждение фотолюминесценции в диапазоне 410/470 нм обусловлено поглощением света окислами, обогащенными ионами H^-, OH^-, F^-, O^-, SiH^-, SiF^-.

L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
V. Lehmann, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 58, 856 (1990)
H.D. Fuchs, M. Stutzmann, M.S. Brandt, M. Rosenbauer, J. Weber, A. Breirschwerdt, P. Deak, M. Cardona. Phys. Rev. B, 48, 8172 (1993)
S.M. Prokes, O.J. Glembovski. Phys. Rev. B, 49, 2238 (1993)
J.M. Lavine, S.P. Sawan, Y.T. Shich, A.J. Bellezza. Appl. Phys. Lett., 62, 1099 (1993)
A.J. Kontkiewicz, A.M. Kontkiewicz, J. Siejka, S. Sen, G. Nowak, A.M. Hoff, P. Sakthivel, K. Ahmed, P. Mukherjee, S. Witanachchi, J. Lagowski. Appl. Phys. Lett., 65, 1436 (1994)
J. Kanemitsy, T. Matsumoto, T. Futagi, H. Mimura. Japan. J. Appl. Phys., 32, 411 (1993)
M.S. Brandt, H.D. Fuchs, M. Stutzman, J. Weber, M. Cardona. Sol. St. Commun., 81, 307 (1992)
I.A. Bujanova, N.E. Korsunskaya, A.V. Savchuk, M.K. Sheinkman, H.J. von Bardeleben. Thin Sol. Films, 255, 185 (1995)
R.T. Collins, M.A. Tischler, J.H. Stathis. Appl. Phys. Lett., 61, 1649 (1992)
I. Sagnes, A. Halimaoui, G. Vincent, P.A. Badoz. Appl. Phys. Lett., 62, 1155 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель