Вышедшие номера
О распределении электрического поля в высокоомных сильно смещенных МДПДМ структурах
Резников Б.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

Теоретически исследовано распределение электрического поля E(x) в высокоомной сильно смещенной структуре. Определены условия, при которых профиль E(x) имеет положительную кривизну в катодной части d2E/dx2>0 и качественно согласуется с экспериментом. Показано что в чистых кристаллах, где объемный заряд примеси пренебрежимо мал, или при наличии глубокой примеси, являющейся уровнем прилипания для дырок, профиль с d2E/dx2>0 возможен только при отрицательной дифференциальной подвижности для дырок dmupE/dE<0. При dmupE/dE>= 0 неравенство d2E/dx2>0 имеет место только, когда объемный заряд в структуре (степень заполнения глубокой примеси электронами) чувствителен к электронной концентрации. Получены аналитические зависимости поля в этом случае и показано, что основные особенности распределений поля могут быть получены в дрейфовом приближении.