"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О распределении электрического поля в высокоомных сильно смещенных МДПДМ структурах
Резников Б.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

Теоретически исследовано распределение электрического поля E(x) в высокоомной сильно смещенной структуре. Определены условия, при которых профиль E(x) имеет положительную кривизну в катодной части d2E/dx2>0 и качественно согласуется с экспериментом. Показано что в чистых кристаллах, где объемный заряд примеси пренебрежимо мал, или при наличии глубокой примеси, являющейся уровнем прилипания для дырок, профиль с d2E/dx2>0 возможен только при отрицательной дифференциальной подвижности для дырок dmupE/dE<0. При dmupE/dE>= 0 неравенство d2E/dx2>0 имеет место только, когда объемный заряд в структуре (степень заполнения глубокой примеси электронами) чувствителен к электронной концентрации. Получены аналитические зависимости поля в этом случае и показано, что основные особенности распределений поля могут быть получены в дрейфовом приближении.
  1. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, Ю.Н. Перепелицын, В.Е. Харциев, И.Д. Ярошецкий. \it Фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах с фоточувствительным распределением электрического поля и оптоэлектронные приборы на их основе. Препринт ФТИ N 1570 (CПб., 1991)
  2. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 19, 49 (1993)
  3. Н. Мотт, Р. Герни. \it Электронные процессы в ионных кристаллах. (М., ИИЛ, 1950)
  4. М. Ламперт, П. Марк. \it Инжекционные токи в твердых телах. (М., Мир, 1973)
  5. П.Г. Кашерининов, Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 26, 1480 (1992)
  6. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 242 (1994)
  7. Т.В. Тан, Х.Х. Оу, Д.Х. Навон. В сб.: \it Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов (М., Радио и связь, 1989) с. 236
  8. G. Ottaviani, C. Canali, Alberigi Quaranta. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-22, 192 (1975)
  9. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 29, 1430 (1995)
  10. В.И. Стриха. \it Теоретические основы работы контакта металл--полупроводник. (Киев, Наук. думка, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.