Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1996, выпуск 11
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1996, том 30, выпуск 11
Кесаманлы Ф.П., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Естественный фотоплеохроизм в полупроводниках О б з о р
1921
Абрамов А.С., Виноградов А.Я., Голубев В.Г., Косарев А.И., Матюшкина М.А., Пацекин А.В.
Исследование пленок аморфного гидрированного нитрида кремния, полученных в плазме высокачастотного разряда
1943
Покутний С.И.
Спектр экситона в квазинульмерных полупроводниковых структурах
1952
Качурин Г.А., Тысченко И.Е., Гадияк Г.В.
Влияние конкурирующих стоков на эволюцию профилей распределения имплантируемого в кремний азота: численное моделирование
1960
Кучинский П.В., Лисовский Г.А., Савенок Е.Д.
Влияние температуры технологического отжига на радиационные изменения электрофизических свойств МОП структур на основе кремния
1969
Гнатенко Ю.П., Гамерник Р.В., Фарина И.А., Блашкив В.С., Крочук А.С.
Примесные состояния ванадия в теллуриде кадмия и цинка
1975
Воробьев Л.Е., Донецкий Д.В., Алешкин В.Я., Кузнецов О.А., Орлов Л.К.
Спонтанное излучение дальнего инфракрасного диапазона, обусловленное горячими дырками в Ge и квантовых ямах Ge/Ge
1- x
Si
x
1981
Болтарь К.О., Федирко В.А.
Определение параметров слоистых полупроводниковых структур методом ИК отражения
1993
Козлов В.А., Козырев А.Б.
Инверсия населенностей электронов в ступенчатых гетероструктурах
2002
Антонова И.В., Качурин Г.А., Тысченко И.Е., Шаймеев С.С.
Формирование электрически активных центров за областью торможения ионов при высокотемпературной имплантации в кремний
2017
Афанасьев М.М., Власенко М.П., Власенко Л.С., Ломасов В.Н., Милицын А.В.
Регистрация парамагнитных центров рекомбинации в облученных кремниевых p-n-переходах
2025
Глинчук К.Д., Прохорович А.В.
Кинетика образования и разрушения индуцированных радиационно-термическим воздействием пар V
As
Zn
Ga
в p-GaAs<Zn >
2033
Гуцуляк Л.М., Иванов-Омский В.И., Цыпишка Д.И., Андрухив А.М.
Фотоэлектрическая спектроскопия мелких акцепторов в Zn
x
Cd
y
Hg
1- x- y
Te
2042
Зубрилов А.С., Цветков Д.В., Николаев В.И., Никитина И.П.
Краевая люминесценция твердых растворов AlN--GaN
2051
Андреев А.Н., Смирнова Н.Ю., Щеглов М.П., Растегаева М.Г., Челноков В.Е., Растегаев В.П.
Влияние состава паровой фазы в ростовой ячейке на уровень легирования эпитаксиальных слоев карбида кремния, выращиваемых методом вакуумной сублимации
2060
Бондаренко В.Б., Кудинов Ю.А., Ершов С.Е., Кораблев В.В.
Естественные неоднородности потенциала у поверхности примесного полупроводника
2068
Ефанов А.В.
К теории потенциала в гетероструктуре с латеральной решеткой электродов
2077
Ипатова И.П., Маслов А.Ю., Прошина О.В.
Полярон большого радиуса в наноструктурах на основе полупроводников с непараболическим законом дисперсии
2081
Вейс А.Н., Суворова Н.А.
Исследование коэффициента оптического поглощения в компенсированном PbSe<Na>
2089
Ивлев Г.Д., Гацкевич Е.И.
Температурное изменение оптических свойств жидкой фазы при наносекундном лазерном плавлении кремния и германия
2097
Лебедев Э.А., Полисский Г., Петрова-Кох В.
Дисперсионный перенос дырок в пористом кремнии
2108
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук