"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Примесные состояния ванадия в теллуриде кадмия и цинка
Гнатенко Ю.П., Гамерник Р.В., Фарина И.А., Блашкив В.С., Крочук А.С.
Поступила в редакцию: 9 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

Проведены низкотемпературные исследования оптических (4.5 K) и фотоэлектрических свойств кристаллов CdTe и ZnTe, легированных ванадием. Для 3d3-иона ванадия определены энергии перехода носителей в зоны проводимости и валентную, а также энергии Мотта--Хаббарда в обоих кристаллах. Обнаружен резонанс возбужденного 4Ti(4P)-состояния иона V2+ с зоной проводимости кристалла CdTe.
  1. A.A.Schroeder, T.S. Stark, A.L. Smirl, G.C. Valley. Opt. Commun., 84, 369 (1991)
  2. П.И. Бабий, Р.В. Гамерник, Ю.П. Гнатенко, А.С. Крочук. ФТП, 23, 739 (1989)
  3. P.A. Slodwy, J.M. Baranowski. Phys. St. Sol. (b), 49, 499 (1972)
  4. L.M. Hoang, J.M. Baranowski. Phys. St. Sol. (b), 84, 361 (1977)
  5. A. Zunger. Ann. Rev. Mater. Sci., 15, 411 (1985)
  6. Г.К. Ипполитова, Э.М. Омельяновский, А.Д. Первова. ФТП, 9, 1308 (1975)
  7. K. Suto, M. Aoki. J. Phys. Japan, 22, 149 (1967)
  8. В.И. Соколов. ФТП, 28, 545 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.