Вышедшие номера
Влияние температуры технологического отжига на радиационные изменения электрофизических свойств МОП структур на основе кремния
Кучинский П.В.1, Лисовский Г.А.1, Савенок Е.Д.1
1Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н.Севченко при Белорусском государственном университете, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 21 августа 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

Изучено влияние термоотжига МОП транзисторов на эффективность радиационной деградации электрофизических свойств приборов. Показано, что для МОП приборов с использованием пирогенного подзатворного окисла последующие термообработки свыше 850 oC приводят к существенному росту эффективности радиационной деградации. Результаты объяснены в рамках модели релаксации внутренних механических напряжений.