Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1993, выпуск 1
>>>
Физика и техника полупроводников, 1993, том 27, выпуск 1
Левин М.Н., Литманович В.И., Татаринцев А.В., Чернышев Е.В.
Прямой метод определения плотности поверхностных состояний по токам накачки заряда
3
Берил С.И., Покатилов Е.П., Зотов А.С., Фарах М., Фай Л.К.
Экранированное кулоновское взаимодейстсвие и поляронный экситон в МПД структуре
12
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.
Длинноволновые низкопороговые лазеры на основе соединений A
III
B
V
21
Гинзбург Л.П.
Переходы Андерсена в системе D
-
-центров
30
Сырбу Н.Н., Нойманн X., Соботта X., Риеде В.
Давыдовские мультиплеты колебательных спектров и эффективные ионные заряды в кристаллах TlInS
2
, TlGaSe
2
41
Байдуллаева А., Даулетмуратов Б.К., Власенко А.И., Гнатюк В.А., Мозоль П.Е.
Фотоэлектрические свойства пленок теллурида кадмия, подвергнутых лазерному облучению
56
Герчиков Л.Г., Субашиев А.В., Далла Салман
Влияние состава слоев на зонный спектр сверхрешеток типа Cd
x
Hg
1-x
Te-Cg
y
Hg
1-y
Te
60
Мякенькая Г.С., Гуцев Г.Л.
Бистабильные комплексы дефектов с углеродной компонентой в кремнии
67
Лебедев А.А., Экке В.
Определение энергетического спектра плотности поверхностных состояний в МДП структурах с помощью емкостной спектроскопии DLTS при учете взаимодействия с неосновными носителями тока
76
Миргородский В.И., Сабликов В.А., Филатов А.Л.
Фоторефрактивный метод бесконтактного определения рекомбинационных характеристик полупроводников
81
Грехов И.В., Шулекин А.Ф., Векслер М.И.
Статические характеристики кремниевого оже-транзистора с туннельным МОП эмиттером и индуцированной базой
88
Савицкий В.Г., Соколовский Б.С., Новак В.И.
Антистоксовское преобразование излучения варизонными полупроводниками при магнитоконцентрационном эффекте
95
Миляев В.А., Никитин В.А., Ширков А.В.
Картирование времени жизни неравновесных носителей в кремниевых пластинах со структурой из алюминиевых полосок
99
Аникин М.М., Иванов П.А., Растегаев В.П., Савкина Н.С., Сыркин А.Л., Челноков В.Е.
Экспериментальный полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4H
102
Ильинская Н.Д., Кохановский С.И., Сейсян Р.П.
Осциллирующее магнитопоглощение многослойных квантово-размерных структур
108
Афонин В.В., Гальперин Ю.М.
Акустоэлектрический эффект и термоэдс увлечения электронов фононами в режиме слабой локализации
115
Гринев В.И.
Краевое излучение в ZnSe<Li>, облученном электронами
124
Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Стрыгин В.Д.
Влияние обработки поверхности арсенида галлия в парах халькогенов на свойства барьеров Шоттки в структурах Me-GaAs
131
Андрианов А.В., Ковалев Д.И., Шуман В.Б., Ярошецкий И.Д.
Время-разрешенная фотолюминесценция пористого кремния
136
Андреев В.М., Антипов В.Г., Калиновский В.С., Каллион Р.В., Никишин С.А., Рувимов С.С., Степанов М.В., Танклевская Е.М., Хвостиков В.П.
(AlGaAs/GaAs)-фотоприемники на подложках Si, полученные комбинированным методом жидкофазной и молекулярно-пучковой эпитаксии
141
Воробьев Л.Е., Данилов С.Н., Донецкий Д.В., Кочегаров Ю.В., Стафеев В.И., Фирсов Д.А.
Безынжекционный узкополосный лазер дальнего ИК диапазона на горячих дырках и его использование для исследования примесного пробоя
146
Андреев В.М., Калиновский В.С., Миланова М.М., Минтаиров А.М., Румянцев В.Д., Смекалкин К.Е., Стругова Е.О.
Спектральные и электрические характеристики гетероструктур n-GaAs-(n-p)-Al
x
Ga
1-x
As-p-Al
(y>x)
Ga
1-y
As-p
+
-GaAs с ультратонкими поверхностными слоями
156
Семенова Г.Н., Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Садофьев Ю.Г., Свительский А.В., Корытцев С.В.
Структурные дефекты и фотолюминесценция эпитаксиальных слоев In
x
Ga
1-x
As
162
Двуреченский А.В., Ремесник В.Г., Рязанцев И.А., Талипов Н.X.
Инверсия типа проводимости слоев Cd
x
Hg
1-x
Te, подвергнутых плазменной обжработке
168
Болгов С.С., Кислый В.П., Малютенко В.К., Савченко А.П.
Барическая зависимость люминесценции гетероструктур Cd
x
Hg
1-x
Te/CdTe
171
Малевич В.Л.
О перегревной оптической бистабильности в дырочных полупроводниках
176
Малышев В.А., Сапелкин С.В., Червяков Г.Г., Юхимец Е.А.
Нелинейные преобразования сигнала модуляции света при квадратичной рекомбинации в фотоприемнике
179
Гусятников В.Н., Иванченко В.А., Николаев М.В.
Особенности фотопроводимости классических сверхрешеток на основе p-Ge в инфракрасном диапазоне
182
Зимин С.П., Корегина Е.Л., Бочкарева Л.В.
Свойства компенсированных пленок в системе сульфид свинца-сульфид кадмия
185
Калинушкин В.П., Юрьев В.А.
Изменение диаграммы рассеяния света монокристаллами нелегированного GaAs вследствие электронного облучения
188
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук