"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Инверсия типа проводимости слоев CdxHg1-xTe, подвергнутых плазменной обжработке
Двуреченский А.В.1, Ремесник В.Г.1, Рязанцев И.А.1, Талипов Н.X.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.