Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2004, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, выпуск 7
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Литвин О.С., Литвин П.М., Миленин В.В.
Межфазные взаимодействия и особенности структурной релаксации в контактах TiB
x
-n-GaAs (InP, GaP, 6H-SiC), подвергнутых активным обработкам
769
Хужакулов Э.С.
Локальная симметрия решетки Pb
1-x
Sn
x
Se в области бесщелевого состояния
775
Козловский В.В., Иванов П.А., Румянцев Д.С., Ломасов В.Н., Самсонова Т.П.
Cтимулирование металлургических реакций на интерфейсе Ni--SiC протонным облучением
778
Электронные и оптические свойства полупроводников
Бирюлин П.В., Кошелева В.И., Туринов В.И.
Исследование электрофизических свойств Cd
x
Hg
1-x
Te
784
Неустроев Е.П., Смагулова С.А., Антонова И.В., Сафронов Л.Н.
Формирование электрически активных центров в кремнии, облученном электронами, в интервале температур 400-700
o
C
791
Абдуллаев А.А.
Роль уровней прилипания неравновесных электронов в процессе образования центров закрепления доменных стенок в магнитном полупроводнике CdCr
2
Se
4
796
Брудный В.Н., Бойко В.М., Каменская И.В., Колин Н.Г.
Электрофизические свойства и предельное положение уровня Ферми в InSb, облученном протонами
802
Тетельбаум Д.И., Зорин Е.И., Лисенкова Н.В.
Аномальная растворимость имплантированного азота в кремнии, сильно легированном бором
808
Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Равич Ю.И., Федоров М.И., Компаниец В.В.
Особенности термоэлектрических свойств слабо легированных твердых растворов Bi
2
(TeSe)
3
811
Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Тиснек Т.В., Мохов Е.Н.
Особенности электронного парамагнитного резонанса в 4H-SiC в области фазового перехода изолятор--металл. II. Анализ ширины и формы линий
816
Камилов И.К., Степуренко А.А., Ковалев А.С.
Локализация продольного автосолитона в антимониде индия
822
Гуткин А.А., Рещиков М.А.
Пьезоспектроскопическое исследование полосы излучения с максимумом около 1.2 эВ в n-GaAs : S
825
Алиев С.А.
Явление гистерезиса в Ag
2
Te вблизи и в области фазового превращения
830
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Мурель А.В., Оболенский С.В., Фефелов А.Г., Киселева Е.В.
Устойчивость обработанных протонами GaAs фотодетекторов к гамма-нейтронному облучению
834
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Савкина Н.С., Лебедев А.А., Козловский В.В., Syvajarvi M., Yakimova R.
Радиационная стойкость SiC-детекторов транзисторного и диодного типов при облучении протонами 8 МэВ
841
Низкоразмерные системы
Золотовская С.А., Поснов Н.Н., Прокошин П.В., Юмашев К.В., Гурин В.С., Алексеенко А.А.
Нелинейные свойства фототропных сред на основе наночастиц селенидов меди Cu
x
Se в кварцевом стекле
846
Тысченко И.Е., Реболе Л.
Излучательная рекомбинация в пленках SiO
2
, имплантированных ионами Ge
+
и отожженных в условиях гидростатического сжатия
852
Борисенко С.И.
Влияние размерного квантования спектра акустических фононов на рассеяние электронов в сверхрешетке GaAs/Al
x
Ga
1-x
As
858
Горский П.В.
Эффект Капицы в кристаллах со сверхрешеткой
864
Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Блохин С.А., Мусихин Ю.Г., Жуков А.Е., Максимов М.В., Захаров Н.Д., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Werner P., Guffart F., Bimberg D.
Оптические и структурные свойства массивов квантовых точек InAs, осажденных в матрицу In
x
Ga
1-x
As на подложке GaAs
867
Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Зегря Г.Г.
Механизм сверхизлучения Дике в полупроводниковых гетероструктурах
872
Саченко А.В., Крюченко Ю.В., Соколовский И.О., Сресели О.М.
Проявление квантово-размерных осцилляций времени излучательной экситонной рекомбинации в фотолюминесценции кремниевых наноструктур
877
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Масалов В.М., Самаров Э.Н., Волкодав Г.И., Емельченко Г.А., Баженов А.В., Божко С.И., Карпов И.А., Грузинцев А.Н., Якимов Е.Е.
Ультрафиолетовая люминесценция ZnO, инфильтрованного в опаловую матрицу
884
Физика полупроводниковых приборов
Бирюлин П.В., Туринов В.И., Якимов Е.Б.
Исследование утечек по поверхности фотодиодов на CdHgTe
890
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук