"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Радиационная стойкость SiC-детекторов транзисторного и диодного типов при облучении протонами 8 МэВ
Строкан Н.Б.1, Иванов А.М.1, Савкина Н.С.1, Лебедев А.А.1, Козловский В.В.2, Syvajarvi M.3, Yakimova R.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Университет Линчепинга, Линчепинг, Швеция
Поступила в редакцию: 19 января 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.

Исследовались детекторы ядерного излучения на базе SiC со структурой: легированная подложка n+-типа / эпитаксиальный слой p-типа / барьер Шоттки. Структуры со слоем политипа 6H-SiC толщиной ~10 мкм проявляли транзисторные свойства, а со слоем 4H-SiC толщиной ~30 мкм --- диодные. Установлено, что у структур транзисторного типа наблюдается более чем десятикратное усиление сигнала. Усиление сохраняется при облучении протонами с энергией 8 МэВ как минимум до дозы 5·1013 см-2 при значении разрешающей способности =<10%. В структурах "диодного" типа усиления сигнала не наблюдалось. Но даже при максимальной дозе 2·1014 см-2 имелась группа образцов с разрешением ~3%, приемлемым для ряда задач.
  1. Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, A. Hallen, А.О. Константинов, В.В. Лучинин, А.Ю. Никифоров. ФТП, 37, 1260 (2003)
  2. A.A. Lebedev, N.B. Strokan, A.M. Ivanov, D.V. Davydov, N.S. Savkina, E.V. Bogdanova, A.N. Kuznetsov, R. Yakimova. Appl. Phys. Lett., 79, 4447 (2001)
  3. A.M. Ivanov, N.B. Strokan, D.V. Davydov, N.S. Savkina, A.A. Lebedev, Yu.T. Mironov, G.A. Riabov, E.M. Ivanov. Appl. Surf. Sci., 184, 431 (2001)
  4. Ion Implantation. Science and Technology, ed. by J.F. Ziegler (Academic Press. Inc., 1984)
  5. W. Jiang, S. Thevuthasan, W.J. Weber, R. Grotzschel. Nucl. Instrum. Meth. B, 161--163, 501 (2000)
  6. S. Lazanu, I. Lazanu, E. Borchi, M. Bruzzi. Nucl. Instrum. Meth. A, 485, 768 (2002)
  7. А.М. Иванов, Е.В. Калинина, А.О. Константинов, Г.А. Онушкин, A. Hallen, Н.Б. Строкан, Г.Ф. Холуянов. Письма ЖТФ (2004)
  8. S.M. Ryvkin, L.L. Makovski, N.B. Strokan, V.P. Subashieva, A.Kh. Khusainov. IEEE Trans. Nucl. Sci., 15 (3), 226 (1968)
  9. В.К. Еремин, Н.Б. Строкан, Н.И. Тиснек. ФТП, 8, 1157 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.