Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1995, выпуск 1
>>>
Физика и техника полупроводников, 1995, том 29, выпуск 1
Антонова И.В., Шаймеев С.С.
Влияние ионного облучения на диффузию золота в кремнии
3
Асланов Г.А., Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Пенин Н.А.
Примесный фоторезистор в режиме импульсного оптического гетеродинирования
9
Басс Ф.Г., Крючков С.В., Шаповалова А.И.
Влияние однородного высокочастотного поля на форму электромагнитной волны в квантовой сверхрешетке
19
Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Агапов Б.Л., Стрыгин В.Д.
Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия A
III
2
B
VI
3
(110)
24
Гулямов Г., Умаров К.Б.
Коэффициент неидеальности ВАХ p- n-перехода при разогреве носителей заряда и фононов
33
Бессолов В.Н., Лебедев М.В., Царенков Б.В.
Явление поверхностной сегрегации основных компонентов твердого раствора A
III
B
V
и сегрегационный приповерхностный гетеропереход в GaAlAs
39
Градобоев А.А., Курмашев Ш.Д.
Влияние особенностей Cd
x
Hg
1-x
Te на характеристики длинноканальных МДП транзисторов
51
Бабич В.М., Баран Н.П., Зотов К.И., Кирица В.Л., Ковальчук В.Б.
Низкотемпературная диффузия кислорода и образование термодоноров в кремнии, легированном изовалентной примесью германия
58
Леденцов Н.Н., Иванов С.В., Максимов В.М., Седова И.В., Табатадзе И.Г., Копьев П.С.
Люминесценция локализованных электронно-дырочных пар в области фундаментального поглощения структур Zn(S,Se)--(Zn,Cd)Se с квантовыми ямами
65
Беляев А.П.
К вопросу о вольт-амперной характеристике гетероструктуры на основе неупорядоченного селенида цинка
70
Еремин В.К., Ильяшенко И.Н., Строкан Н.Б., Шмидт Б.
Рекомбинация неравновесных носителей в треках тяжелых ионов в Si
1
79
Барышев М.Г., Муравский Б.С., Черный В.Н., Яманов И.Л.
Фотоэффект в эпитаксиальной p
+
- n-структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельный окисел--металл
91
Свиридов В.В.
Волна пространственной перезарядки ловушек, сопровождающая изгибные колебания пластины полярного полупроводника
96
Петухов Б.В.
Влияние флуктуаций состава на кинетику дислокаций в пленках твердых растворов полупроводников
104
Басс Ф.Г., Фалько В.Л., Ханкина С.И.
Локальные оптические колебания вблизи точечных и линейных дефектов в полупроводниках
114
Кибис О.В.
Образование конденсонов в квазидвумерных слоях дырочных полупроводников
125
Дымников В.Д., Константинов О.В.
Уровни энергий в квантовой яме с прямоугольными стенками сложной формы
133
Левинштейн М.Е., Румянцев С.Л.
Использование зона-зонной подсветки для определения параметров уровней в методе шумовой спектроскопии
140
Бычковский Д.Н., Константинов О.В., Царенков Б.В.
Фазовый переход диэлектрик--металл: термодинамический аспект проблемы
152
Айбазов И.Ф., Михрин С.Б., Саморуков Б.Е.
Особенности деградации полуизолирующего арсенида галлия при термообработках
162
Романюк Б.Н., Попов В.Г., Литовченко В.Г., Мисиук А., Евтух А.А., Клюй Н.И., Мельник В.П.
Механизмы геттерирования кислорода в пластинах кремния с неоднородным распределением механических напряжений
166
Валяев В.В., Гуртовой В.Л., Шаповал С.Ю., Киреев В.А., Смирнов Н.В.
Эпитаксиальный рост высокочистого GaAs методом МОС гидридного осаждения с использованием криофильтрационной очистки арсина
175
Елесин В.Ф., Винокуров О.А., Кондрашов В.Е., Подливаев А.И., Шамраев Б.Н.
Моделирование процессов перетекания при латеральном транспорте в двухъямной наноструктуре
183
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук