"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Локальные оптические колебания вблизи точечных и линейных дефектов в полупроводниках
Басс Ф.Г.1, Фалько В.Л.1, Ханкина С.И.1
1Институт радиофизики и электроники Академии наук Украины,, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 6 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

Построена теория локальных колебаний в проводящей среде вблизи точечного и линейного дефектов. В оптическом диапазоне частот в кристаллах с легким изотопом существуют поперечные локальные колебания, при наличии тяжелого изотопа --- продольные колебания, обусловленные кулоновскими взаимодействиями между дефектом, ионами решетки и электронами проводимости. Показано, что наличие электронной подсистемы приводит к экспоненциальному убыванию амплитуды колебаний на макроскопических расстояниях порядка длины поперечной электромагнитной волны в среде или на расстояниях порядка дебаевского радиуса.
  1. А.М. Косевич. \it Теория кристаллической решетки (Харьков, Вища шк., 1988)
  2. В.В. Брыскин, Ю.А. Фирсов. ЖЭТФ, 58, 1025 (1970)
  3. А.М. Косевич, В.А. Погребняк. ЖЭТФ, 83, 1886 (1982)
  4. В.М. Агранович, В.Л. Гинзбург. \it Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов (М., Наука, 1979)
  5. А.И. Ансельм. \it Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1990)
  6. В.В. Брыскин, Ю.А. Фирсов. ЖЭТФ, 56, 841 (1969)
  7. В.П. Силин, А.А. Рухадзе. \it Электромагнитные свойства плазмы и плазмоподобных сред (М., Госатомиздат, 1961)
  8. М.И. Хейфец. ФТТ, 7, 1642 (1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.