Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1995, выпуск 12
<<<
Физика и техника полупроводников, 1995, том 29, выпуск 12
Хохлов А.Ф., Ежевский А.А., Машин А.И., Хохлов Д.А.
О роли неона в образовании магнитно-упорядоченных слоев в кремнии при сверхбольших дозах облучения
2113
Данишевский А.М., Шуман В.Б., Рогачев А.Ю., Иванов П.А.
Исследование пористого карбида кремния методами колебательной и люминесцентной спектроскопии
2122
Баграев Н.Т., Владимирская Е.В., Гасумянц В.Э., Кайданов В.И., Кведер В.В., Клячкин Л.Е., Маляренко А.М., Чайкина Е.И., Шалынин А.И.
Переход металл--диэлектрик в сильно легированных p
+
-квантовых ямах на поверхности кремния n-типа
2133
Акимов Б.А., Албул А.В., Рябова Л.И.
Кинетика фотопроводимости PbTe(Ga)
2158
Стрельчук А.М., Евстропов В.В., Дмитриев В.А., Черенков А.Е.
Прямой и обратный ток p-n-структур на основе 6 H-SiC, изготовленных бесконтейнерной жидкостной эпитаксией
2169
Матвеева А.Б., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К.
Исследование фотоэдс и фотоиндуцированного захвата заряда в пористом кремнии
2180
Резников Б.И., Царенков Г.В.
Темновое распределение электрического поля и ток в высокоомных сильно смещенных структурах металл--диэлектрик--полупроводник
2189
Зегря Г.Г., Гунько Н.А., Фролушкина Е.В., Именков А.Н., Яковлев Ю.П.
Особенности температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров -0.5mmна основе GaInAsSb с тонкой активной областью
2208
Андреев А.Г., Воронков В.В., Воронкова Г.И., Забродский А.Г., Петрова Е.А.
Влияние кулоновского взаимодействия на термическую энергию ионизации основной примеси в компенсированном Ge:Ga
2218
Берт Н.А., Чалдышев В.В., Лубышев Д.И., Преображенский В.В., Семягин Б.Р.
Пространственное упорядочение кластеров мышьяка в слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
2232
Быковский В.А., Добрего В.П., Долгих Н.И., Емцев В.В., Халлер Е.Е.
Излучательная рекомбинация в германии, облученном реакторными нейтронами
2236
Юбилеи и даты Юрас Пожела (к 70-летию со дня рождения)
2242
Юбилеи и даты Борис Васильевич Царенков (к 65-летию со дня рождения)
2244
Именной указатель к журналу ''Физика и техника полупроводников'' Том 29 за 1995
2246
Предметный указатель к журналу ''Физика и техника полупроводников'' Том 29 за 1995
2277
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme