"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Темновое распределение электрического поля и ток в высокоомных сильно смещенных структурах металл--диэлектрик--полупроводник
Резников Б.И.1, Царенков Г.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1995 г.

Теоретически исследовано влияние высоты барьера Шоттки, туннельной прозрачности диэлектрика и других параметров на темновые характеристики высокоомных сильно смещенных МДПДМ структур с одиночным глубоким примесным уровнем. Найдены условия однородности электрического поля в структуре и показано, что уменьшение туннельной прозрачности приводит к раскомпенсации свободного и связанного зарядов и увеличению электрического поля вблизи анода. Определены условия инверсии (смены знака) поля у анода и область параметров, соответствующих возрастанию поля у катода с положительной кривизной.
  1. Н. Мотт, Р. Герни. \it Электронные процессы в ионных кристаллах. (М., ИИЛ, 1950) с. 197
  2. М. Ламперт, П. Марк. \it Инжекционные токи в твердых телах. (М., Мир, 1973)
  3. А.А. Саченко, О.В. Снитко. \it Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников. (Киев, Наукова думка, 1984)
  4. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, Ю.Н. Перепелицын, В.Е. Харциев, И.Д. Ярошецкий. Препринт ФТИ N 1570 (C.-Петербург, 1991)
  5. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 19, 49 (1993)
  6. П.Г. Кашерининов, Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 26, 1480 (1992)
  7. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 242 (1994)
  8. J.G. Simmons, G.W. Taylor. Sol. St. Electron., 29, 287 (1986)
  9. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 867 (1994)
  10. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 27, 1262 (1993)
  11. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 29, 1430 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.