Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2025
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2025, выпуск 10
<<<
Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 10
Обзоры
Зегря Г.Г., Баженов Н.Л.
Механизмы оже-рекомбинации в полупроводниковых наногетероструктурах. Часть 2. Квантовые нити и квантовые точки (О б з о р)
573
Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)
Зикриллаев Н.Ф., Саидов С.О., Шарибаев Н.Ю., Мавлонов Г.Х., Абдуганиев Й.А., Назаров Э.С., Косимов И.О., Эргашов А.К.
Высокотемпературная диффузия марганца в кремний КДБ-3: формирование фаз Mn
5
Si
3
и B
6
Si, морфология и электрофизические свойства
601
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Кирьянова Е.Н., Румянцев В.В., Разова А.А., Шенгуров Д.В., Гусев Н.С., Морозова Е.Е., Уточкин В.В., Барышев В.Р., Янцер А.А., Мажукина К.А., Фадеев М.А., Гинзбург Н.С., Малкин А.М., Егорова Е.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И., Морозов С.В.
Лазерное излучение в мезаструктуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe с периодической системой гребней
608
Зиновьев В.А., Смагина Ж.В., Рудин С.А., Зиновьева А.Ф., Ненашев А.В., Родякина Е.Е., Дьяков С.А., Смагин И.А., Степихова М.В., Новиков А.В.
Усиление люминесцентного отклика субволновых решеток из Si-дисков со встроенными GeSi-квантовыми точками при переходе от простой решетки к решетке с базисом
614
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Анкудинов А.В., Власов А.С., Дунаевский М.С., Аксенов В.Ю., Илькив И.В., Малевская А.В., Родин В.Д., Щенин А.С., Минтаиров А.М.
Вариации электрического потенциала металлической наночастицы на диэлектрике
620
Физика полупроводниковых приборов
Слипченко С.О., Подоскин А.А., Шушканов И.В., Кондратов М.И., Гришин А.Е., Ризаев А.Э., Шамахов В.В., Шашкин И.С., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Башкатов А.С., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А.
Быстродействующие токовые ключи на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур тиристоров с толстой p-базой (8 мкм)
629
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2026
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук