Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Быстродействующие токовые ключи на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур тиристоров с толстой p-базой (8 мкм)

Слипченко С.О.¹, Подоскин А.А.¹, Шушканов И.В.¹, Кондратов М.И.¹, Гришин А.Е.¹, Ризаев А.Э.¹, Шамахов В.В.¹, Шашкин И.С.¹, Николаев Д.Н.¹, Пихтин Н.А.¹, Башкатов А.С.², Багаев Т.А.³, Ладугин М.А.³, Мармалюк А.А.³, Симаков В.А.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Всероссийский научно-исследовательский институт радиоэлектроники, Московская область, Мытищи, Россия
³"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия “Polyus” Research Institute of M.F. Stelmakh Joint Stock Company, Moscow, Russia

“Polyus” Research Institute of M.F. Stelmakh Joint Stock Company, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 12 декабря 2025 г.

В окончательной редакции: 22 декабря 2025 г.

Принята к печати: 26 декабря 2025 г.

Выставление онлайн: 19 января 2026 г.

PDF версия

Абстракт
Литература

Разработаны AlGaAs/GaAs-гетероструктуры тиристоров с толстой p-базой (8 мкм) и созданы токовые ключи на их основе. В статическом режиме продемонстрировано максимальное блокируемое напряжение 120 В. Минимальные задержки включения достигали 7 нс при токе управления 220 мА. Продемонстрирована возможность генерации последовательности импульсов с частотой 20 кГц при рабочем напряжении 110 В и частотой 120 кГц при рабочем напряжении 30 В. Оценка динамических характеристик показывает возможность генерации импульсов тока с амплитудой 68 А и длительностью 2.9 нс. Ключевые слова: гетероструктура, тиристор, быстродействующий токовый ключ, полупроводниковый лазер, короткий импульс.

8.714 https://www.infineon.com/part/IAUZ40N08S5N100\#documents
https://epc-co.com/epc/products/gan-fets-and-ics/epc2252
И.А. Прудаев, В.В. Копьев, В.Л. Олейник, М.С. Скакунов, А.С. Сотникова, С.М. Гущин, В.Е. Земляков. Письма ЖТФ, 51 (4), 23 (2025). DOI: https://doi.org/10.21883/0000000000
S. Vainshtein, G. Duan, T. Rahkonen, Z. Taylor, V. Zemlyakov, V. Egorkin, O. Smolyanskaya, T. Skotnicki, W. Knap. Results Phys., 19, 103509 (2020). DOI: 10.1016/j.rinp.2020.103509
К.C. Жидяев, А.Б. Чигинева, Н.В. Байдусь, И.В. Самарцев, А.В. Кудрин. ФТП, 59 (1), 48 (2025). DOI: 10.61011/FTP.2025.01.60500.7741
S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, I.V. Shushkanov, M.G. Rastegaeva, A.E. Rizaev, M.I. Kondratov, A.E. Grishin, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. Chinese Optics Lett., 22 (7), 072501 (2024). DOI: 10.3788/COL202422.072501
S. Slipchenko, A. Podoskin, I. Shushkanov, A. Rizaev, M. Kondratov, V. Shamakhov, V. Kapitonov, K. Bakhvalov, A. Grishin, T. Bagaev, M. Ladugin, A. Marmalyuk V. Simakov, N. Pikhtin. Photonics, 12 (2), 130 (2025). DOI.ORG/10.3390/PHOTONICS12020130
С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, И.В. Шушканов, А.Э. Ризаев, М.И. Кондратов, Н.А. Рудова, В.А. Стрелец, Н.В. Шувалова, А.Е. Гришин, Т.А. Багаев, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, В.А. Симаков, Н.А. Пихтин. Письма ЖТФ, 51 (11), 7 (2025). DOI: 10.61011/PJTF.2025.11.60479.20235
С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, И.В. Шушканов, В.А. Крючков, А.Э. Ризаев, М.И. Кондратов, А.Е. Гришин, Н.А. Пихтин, Т.А. Багаев, В.Н. Светогоров, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, В.А. Симаков. Письма ЖТФ, 50 (4), 43 (2024). DOI: 10.61011/PJTF.2024.04.57101.19771
S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, I.V. Shushkanov, M.G. Rastegaeva, A.E. Rizaev, M.I. Kondratov, A.E. Grishin, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. Chinese Optics Lett., 22 (7), 072501 (2024)

Учредители

Издатель