Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1990, выпуск 3
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 3
Грибников З.С., Железняк В.Б.
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
401
Гузь В.Н., Жадько И.П., Козловский С.И., Романов В.А.
Перераспределение электрического потенциала в искусственно анизотропной (по электропроводности) полупроводниковой пластине с кольцевыми электродами
409
Воскобойников А.М., Смоляр В.В., Скрышевский В.А., Стриха В.И.
Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М-ТД-П структурах при инфракрасной подсветке
413
Лашкарев Г.В., Радченко М.В., Лазоренко В.И., Ковалюк З.Д.
Особенности термоэлектрических и электрических свойств слоистого полупроводника InSe при низких температурах
418
Оныськив А.Б., Орищин Ю.М., Савчин В.П., Стахира И.М., Фецюх И.М.
Электронные свойства пленок моно- и субселенидов индия
423
Дедулевич С., Канцлерис Ж.
Исследование эффекта охлаждения и нагрева дырок светом в p-Ge
427
Кисин М.В.
Резонансное прохождение резкой гетерограницы электроном проводимости
433
Агранов Г.А., Иванов В.Г., Новоселов С.К., Трояновский В.С., Фантиков О.И.
Влияние периодического импульсного электрического поля на фотоэлектрические свойства примесных компенсированных полупроводников
438
Елизаров А.И., Богобоящий В.В., Берченко Н.Н.
О степени ионизации собственных дефектов в кристаллах Cd
x
Hg
1-x
Te в широком интервале температур
446
Альперович В.Л., Лубышев Д.И., Мигаль В.П., Семягин Б.Р., Ярошевич А.С.
Спектры фототока delta-легированных GaAs сверхрешеток nipi
451
Шадрин В.Д.
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
456
Пищалко В.Д., Толстихин В.И.
Эффекты разогрева носителей заряда в инжекционных гетеролазерах на InGaAsP/InP
462
Акулович Н.И., Быковский В.А., Петренко В.В., Карпович Л.М., Утенко В.И.
Электрофизические свойства и фотолюминесценция кремния, легированного алюминием методом фотоядерных реакций
472
Волков Д.А., Фистуль В.И,
Топологическая оценка вероятности образования собственных точечных дефектов в кристаллах A
III
B
V
со структурой сфалерита
475
Гуцев Г.Л., Мякенькая Г.С., Афанасьева Н.П., Коноплева Р.Ф.
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
479
Варданян Р.Р., Клячкин Л.Е., Суханов В.Л.
Четный магнитный фотоэффект в структурах с p-n-переходом цилиндрической формы
485
Атаев Ж., Васильев В.А., Волков А.С., Коньков О.И., Теруков Е.И.
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
488
Дехтяр Ю.Д., Носков В.А., Савваитова Ю.А., Сагалович Г.Л.
Образование и отжиг вакансионных комплексов в поверхностном слое монокристаллического кремния, облученного ионами средней массы
492
Козловский Ю.Я., Неустроев Л.Н., Осипов В.В.
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
497
Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Сумарока А.М.
Проявление дискретных уровней при релаксационной спектроскопии локализованных электронных состояний с непрерывным спектром
503
Марков А.В., Омельяновский Э.М., Освенский В.Б., Поляков А.Я., Тишкин М.В.
Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода
507
Стась В.Ф., Чистохин И.Б., Герасименко Н.Н.
Взаимодействие таллия с радиационными дефектами в кремнии
512
Казакевич Л.А., Кузнецов В.И., Лугаков П.Ф., Филиппов И.М., Цикунов А.В.
Влияние деформационных напряжений границы раздела Si-SiO
2
на образование и отжиг радиационных дефектов в кремнии
517
Кальфа А.А., Пашковский А.Б.
Пространственный перенос двумерных электронов в структуре металл-Al
x
Ga
1-x
As-GaAs с селективным легированием
521
Бордовский Г.А., Каничев М.Р.
Емкостная спектроскопия локализованных состояний в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
527
Гарасим В.И., Заячук Д.М.
Кинетические свойства твердых растворов Pb
1-x
Sn
x
S
1-y
Se
y
(x=0.19, y=0.5 и 0.98)
533
Горн И.А., Мартынов В.Н., Волкова Е.С., Гринев В.И.
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
538
Глозштейн Ю.М., Машкевич О.Л.
Взаимная сортировка электронов и фононов по энергиям электрон-фононным увлечением
544
Астрова Е.В., Лебедев А.А.
Новый способ обработки спектров DLTS
549
Велиев З.А.
Термическая ионизация дырок из дислокационного центра в электрическом поле
553
Добрего В.П., Ермолаев О.П., Хемеда О.М.
Переход Мотта в германии с радиационными дефектами
555
Казанский А.Г.
Температурная зависимость положения уровня Ферми в аморфном гидрированном кремнии n-типа
556
Курмашев Ш.Д., Ирха В.И., Викулин И.М.
Спектр фоточувствительности инжекционных фотодиодов с варизонной базой в магнитном поле
558
Кирдяшкина Л.А., Кюрегян А.С., Шлыгин П.Н., Юрков С.Н.
Ударная ионизация в кремнии, выращенном различными методами
560
Гярулайтис Д.А., Намаюнас А.М., Тамашявичене З.Н., Тамашявичюс А.В.
Влияние радиационных дефектов на вероятность включения искусственных микроплазм в кремнии
563
Богданов Е.В., Заставный Ю.В.
Магнитофононный резонанс и эффект поперечного пробоя в сплавах Hg
1-x
Cd
x
Te под давлением
565
Каган В.Д.
Ударная ионизация, производимая электронами, движущимися в неоднородном электрическом поле
568
Босак В.И., Жевно А.Н., Стельмах В.Ф.
Характер взаимодействия имплантированного в кремний гелия с атомами решетки
570
Ашкинадзе Б.М., Бельков В.В., Красинская А.Г.
Микроволновый циклотронный резонанс в чистых кристаллах GaAs
572
Мирианашвили Ш.М., Туманишвили Э.П., Чиковани Н.Н., Хавтаси Л.Г.
Исследование фотопроводимости в высокоомном p-InSb
574
Ильченко Л.Г., Огенко В.М.
Кулоновское взаимодействие зарядов вблизи двумерных слоев
576
Блох М.Д.
Магнитофононные осцилляции проводимости с частотой коротковолнового акустического фонона вблизи границы полупроводника
580
Миронов К.Е., Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И.
Диффузия индия в эпитаксиальных слоях Cd
x
Hg
1-x
Te
582
Андреев В.М., Афанасьева Н.П., Еремин В.К., Строкан Н.В., Тархин Д.В.
Компенсация кремния при дрейфе лития из ограниченного резервуара
585
Кикоин К.А., Курек И.Г., Мельничук С.В.
Химические тенденции для глубоких 3d-уровней в полупроводниковых соединениях A
II
B
VI
587
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук