"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние деформационных напряжений границы раздела Si-SiO2 на образование и отжиг радиационных дефектов в кремнии
Казакевич Л.А., Кузнецов В.И., Лугаков П.Ф., Филиппов И.М., Цикунов А.В.
Выставление онлайн: 17 февраля 1990 г.

Изучены процессы накопления и отжига радиационных дефектов в структурах, изготовленных из пластин монокристаллического кремния КЭФ-7.5, на которых термическим окислением выращивался слой SiO2 и затем наносился поликремний. В качестве контрольного материала использовались объемные кристаллы КЭФ-7.5. На различных этапах облучения gamma-квантами 60Co (Tобл =<50oС) и 15-минутного изохронного отжига методом Ван-дер-Пау измерялись температурные (Tизм=80/ 400 K) зависимости коэффициента Холла и электропроводности, а методом модуляции проводимости в точечном контакте --- инжекционные зависимости времени жизни неосновных носителей заряда. Установлено, что в структурах скорости образования комплексов углерод-кислород-дивакансия выше, а A-центров ниже, чем в контрольных образцах кремния. Отжиг этих дефектов в структурах начинается раньше и происходит в более широком интервале температур. Объяснение полученных результатов дано на основе представлении, учитывающих влияние деформационных напряжений и искажения кристаллической решетки вблизи границы раздела Si-SiO2, а также наличие высокой плотности дислокаций, которые возникают в процессе создания структур и окружены примесной атмосферой.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.