"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Взаимодействие таллия с радиационными дефектами в кремнии
Стась В.Ф., Чистохин И.Б., Герасименко Н.Н.
Выставление онлайн: 17 февраля 1990 г.

Исследовано влияние электронного облучения с энергией E=3.5 МэВ, дозой 1015-2· 1016 см-2 на электрофизические и фотоэлектрические свойства кремния, легированной таллием. Изохронный отжиг проводился в интервале температур 100/ 500oС. Обнаружена частичная компенсация легирующей примеси, стабильная до 400oС. Обсуждены возможные механизмы компенсации, обусловленные активном взаимодействием атомов, таллия с радиационными дефектами. Проведена оценка эффективности уменьшения концентрации электрически активных атомов таллия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.