"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода
Марков А.В., Омельяновский Э.М., Освенский В.Б., Поляков А.Я., Тишкин М.В.
Выставление онлайн: 17 февраля 1990 г.

Методами емкостной спектроскопии глубоких уровней и фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы монокристаллы арсенида галлия, выращенные методом Чохральского с введением в загрузку оксида галлия. Установлено, что в кристаллах с низким удельным сопротивлением наряду с центром EL2 присутствует близкий по энергии центр EL0 концентрация которого растет при увеличении содержания кислорода и не зависит от стехиометрии кристалла. В полуизолирующих кристаллах выявлена электронная ловушка с энергией ионизации 0.7 эВ, поведение которой сходно с поведением центра EL0. Существование глубокого центра, связанного с кислородом, определяет возможность получения полуизолирующих кристаллов арсенида галлия с низким содержанием мелких примесных доноров и акцепторов из расплава, обогащенного галлием.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.