"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Проявление дискретных уровней при релаксационной спектроскопии локализованных электронных состояний с непрерывным спектром
Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Сумарока А.М.
Выставление онлайн: 17 февраля 1990 г.

Рассмотрена проблема интерпретации данных термостимулированного разряда МДП конденсатора с распределенными по энергии электронными состояниями на границе раздела полупроводник-диэлектрик и дискретными ловушками в приповерхностном слое полупроводника. Показано, что интерпретация на основе существующих теоретических представлений может приводить к физически абсурдным результатам. Получено аналитическое выражение для температурной зависимости эффективного уровня энергии, разделяющего уже пустые и еще заполненные локализованные электронные состояния. Факт наличия на этой зависимости экстремумов может служить экспериментальным критерием сосуществования в объекте исследования дискретных и плавно распределенных по энергии локализованных состояний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.