Теоретически исследованы фотоэлектрические свойства фоторезисторов на основе классических композиционных сверхрешеток. Рассмотрен случай, когда толщины слоев полупроводников, составляющих сверхрешетку, больше длины рассеяния свободных носителей, но меньше удвоенной дебаевской длины в соответствующем материале. Установлено, что вследствие отсутствия эксклюзии электрон-дырочных пар из объема классических композиционных сверхрешеток коэффициент фотоэлектрического усиления в этих приборах может значительно превышать аналогичную характеристику однородных биполярных фоторезисторов, чувствительных в том же спектральном диапазоне. Показано, что рассматриваемые сверхрешеточные фоторезисторы могут быть достаточно высокоомными даже в случае, когда они из- готовлены из исходно низкоомных полупроводников.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.