"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Образование и отжиг вакансионных комплексов в поверхностном слое монокристаллического кремния, облученного ионами средней массы
Дехтяр Ю.Д., Носков В.А., Савваитова Ю.А., Сагалович Г.Л.
Выставление онлайн: 17 февраля 1990 г.

Облучение ионами средней массы, имеющими энергию 50 или 100 кэВ при флюенсе 1013-1015 см-2, монокристаллического кремния приводит к образованию в его поверхностном слое вакансионных комплексов различных типов. Порядок реакции их отжига равен 1, энергия активации зависит от размера дефекта, если энергия ионов равна 100 кэВ. Причем при этой энергии облучающих частиц образуется по крайней мере два типа комплексов, а при энергии 50 кэВ --- только один тип. Предполагается, что такие дефекты, как VV-центры, генерируются при энергии ионов 50 кэВ уже при флюенсе <= 4· 1010 или <= 1013см-2 в случая облучения мышьяком и фосфором соответственно. Если энергия ионов составляет 100 кэВ то УК-центры образуются при флюенсе, не меньшем 3·1014см-2. Исследование процессов образования дефектов и их отжига выполнено с применением экзоэмиссионной спектроскопии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.