"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
Атаев Ж., Васильев В.А., Волков А.С., Коньков О.И., Теруков Е.И.
Выставление онлайн: 17 февраля 1990 г.

Исследованы основные характеристики стационарной фотолюминесценции в пленках a-Si : H, приготовленных разложением силан-аргоновой смеси (mSiH4-(100-m)Ar) в ВЧ тлеющем разряде, в зависимости от величины m и средней мощности разряда P. Установлены корреляция между квантовой эффективностью излучательной рекомбинации, положением максимума и полушириной спектра излучения, константой, характеризующей температурное гашение люминесценции, и содержанием водорода в пленках. На основании анализа полученных данных сделан вывод о том, что изготовленные при m=40-60 % и P =< 0.3 Вт/см2 пленки обладают наименьшей дефектностью и минимальной плотностью протяженности хвостов локализованных состояний в щели подвижности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.