Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2012, выпуск 12
<<<
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 12
XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.
Волков П.В., Горюнов А.В., Лукьянов А.Ю., Тертышник А.Д., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Байдакова Н.А., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Кузьмин В.Д.
Оптический мониторинг технологических параметров в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии
1505
Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Дегтярев В.Е., Смотрин Д.С., Бобров И.А.
Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр
1510
Юнин П.А., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Юрасов Д.В.
Способ учета параметра сдвига при восстановлении распределения состава полупроводниковых структур по глубине в методе масс-спектрометрии вторичных ионов
1515
Кукушкин В.А.
Генерация частотно-перестраиваемого дальнего инфракрасного и терагерцового излучений оптическими нутациями на внутризонных переходах в асимметричных полупроводниковых наногетероструктурах
1521
Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Калентьева И.Л., Кудрин А.В.
Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью
1527
Тихов С.В., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Хазанова С.В.
Определение концентрации и подвижности электронов в окрестности квантовой ямы и delta-слоя Si в гетероструктурах InGaAs/GaAs
1532
Кочерешко В.П., Besombes L., Cox R.T., Mariette H., Wojtowicz Т., Karczewski G., Kossut J.
Спиновые свойства трионов в плотном квазидвумерном электронном газе
1537
Горшков А.П., Карпович И.А., Павлова Е.Д., Волкова Н.С.
Влияние облучения ионами He
+
на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs
1542
Николаев С.Н., Рыльков В.В., Аронзон Б.А., Маслаков К.И., Лихачев И.А., Пашаев Э.М., Черноглазов К.Ю., Семисалова А.С., Перов Н.С., Кульбачинский В.А., Новодворский О.А., Шорохова А.В., Храмова О.Д., Хайдуков Е.В., Панченко В.Я.
Высокотемпературный ферромагнетизм Si
1-x
Mn
x
пленок, полученных лазерным напылением с использованием сепарации осаждаемых частиц по скорости
1546
Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В.
Светоизлучающие диоды с ферромагнитным инжектирующим слоем на основе гетероструктур GaMnSb/InGaAs/ GaAs
1554
Тихов С.В., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Дегтярев В.Е.
Адмиттанс кольцевых диодных структур с квантовыми ямами InGaAs/InAlAs/InP
1561
Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Паневин В.Ю., Софронов А.Н., Якимов А.И., Двуреченский А.В., Тонких A.A., Werner P.
Фотоиндуцированное и равновесное поглощение света в квантовых точках Ge/Si
1566
Абрамкин Д.С., Путято М.А., Гутаковский А.К., Семягин Б.Р., Преображенский В.В., Шамирзаев Т.С.
Новая система самоорганизованных квантовых точек GaSb/GaP
1571
Majid M.J., Савинский С.С.
Особенности временной эволюции локализованных квантовых состояний в графене
1576
Винниченко М.Я., Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е., Машко М.О., Shterengas L., Belenky G.
Динамика фотолюминесценции в наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb
1581
Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболенский С.В., Фефелов А.Г., Дюков Д.И.
Моделирование мощных HEMT при облучении квантами высоких энергий
1587
Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Додин Е.П., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Ноздрин Ю.Н., Андронов А.А.
Гетероструктуры со сверхрешетками GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии: особенности роста, оптические и транспортные характеристики
1593
Солтанович О.А., Якимов Е.Б.
Анализ температурных зависимостей вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
1597
Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А.
Температурная перенормировка g-фактора электронов проводимости в кремнии
1604
Вайнберг В.В., Васецкий В.М., Гуденко Ю.Н., Порошин В.Н, Байдусь Н.В., Звонков Б.Н.
Долговременная релаксация фотопроводимости в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs со связанными квантовыми ямами при межзонном возбуждении
1609
Беляков В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А., Курова Н.В., Бурдов В.А.
Фотолюминесценция в плотных массивах нанокристаллов кремния: роль концентрации и среднего размера
1613
Физика полупроводниковых приборов
Tsai Jung-Hui, Huang Chia-Hong, Ma Yung-Chun, Wu You-Ren
Comparative investigation of InP/InGaAs abrupt, setback, and heterostructure-emitter heterojunction bipolar transistors
1619
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Palimar Sowmya, Bangera Kasturi V., Shivakumar G.K.
Highly conducting and transparent Ga
2
O
3
doped ZnO thin films prepared by thermal evaporation method
1625
Персоналии
Николай Алексеевич Пенин к 100-летию со дня рождения
1629
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук